Pregled bibliografske jedinice broj: 194573
Određivanje stupnja uređenja u tankim filmovima silicija
Određivanje stupnja uređenja u tankim filmovima silicija // Zbornik Sažetaka 12. Međunarodnog sastanka Vakuumska znanost i tehnika, Trakošćan 18. svibnja 2005. / Radić, Nikola (ur.).
Zagreb: DVTH, 2005. str. 14-14 (predavanje, domaća recenzija, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 194573 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Određivanje stupnja uređenja u tankim filmovima silicija
(Degree of structural ordering in silicon thin films)
Autori
Gracin, Davor ; Juraić, Krunoslav ; Gajović, Andreja ; Tomašić, Nenad
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Izvornik
Zbornik Sažetaka 12. Međunarodnog sastanka Vakuumska znanost i tehnika, Trakošćan 18. svibnja 2005.
/ Radić, Nikola - Zagreb : DVTH, 2005, 14-14
Skup
12. Međunarodni sastank Vakuumska znanost i tehnika, Trakošćan 18. svibnja 2005
Mjesto i datum
Trakošćan, Hrvatska, 18.05.2005
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Domaća recenzija
Ključne riječi
tanki filmovi silicija; nano-kristali; Ramanova spektroskopija. TEM
(Silicon thin films; nano-crystal; Raman spectroscopy; TEM)
Sažetak
Mogućnost formiranja tankog filma silicija sa visokim stupnjem uređenja na temperaturama manjim od temperature taljenja stakla pobuđuje u posljednjoj dekada sve veći interes. Tehnološka pozadina ovog interesa je mogućnost proizvodnje efikasnih optoelektroničkih naprava kao što su tankoslojne solarne ćelije, ravni ekrani i dr. Znanstveni interes je usmjeren prema istraživanju ovisnosti svojstava materijala o strukturnom uređenju koje se opet povezuje sa kinetikom rasta sloja. Tanki filmovi silicija, debljina od 100 – 1000 nm, deponirani su magnetronskim rasprašenjem u atmosferi argona i vodika i plazmom pojačanom kemijskom depozicijom iz plinske faze (PECVD). Variranjem parametara depozicije formirani su slojevi različitog stupnja uređenja koje je određivano korištenjem triju metoda – Ramanovom spektroskopijom, analizom spektralne ovisnosti dielektrične konstante uz korištenje aproksimacije efektivnog medija i difrakcijom x-zraka. Na karakterističnim primjerima filmova, kojima struktura varira od vrlo neuređene amorfne do nanokristalinične, ilustrirati će se prednosti i mane pojedinih metoda te diskutirati njihova međusobna kompatibilnost. Posebna pažnja će se posvetiti mogućnosti određivanja stupnja kristaliničnosti materijala.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika
POVEZANOST RADA
Ustanove:
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb
Profili:
Andreja Gajović
(autor)
Davor Gracin
(autor)
Nenad Tomašić
(autor)
Krunoslav Juraić
(autor)