Pregled bibliografske jedinice broj: 157569
Rast kristala Cu i Ag halkogenida - metoda za mjerenje ionske vodljivosti do temperature taljenja
Rast kristala Cu i Ag halkogenida - metoda za mjerenje ionske vodljivosti do temperature taljenja // Četvrti znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva, Knjiga sažetaka / Kumerički, Krešimir (ur.).
Zagreb: Hrvatsko fizikalno društvo, 2003. (poster, nije recenziran, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 157569 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Rast kristala Cu i Ag halkogenida - metoda za mjerenje ionske vodljivosti do temperature taljenja
(Growth of Cu and Ag chalcogenides - a method for measurement of ionic conductivity up to the melting temperature)
Autori
Vučić, Zlatko ; Lovrić, Davorin ; Gladić, Jadranko
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Izvornik
Četvrti znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva, Knjiga sažetaka
/ Kumerički, Krešimir - Zagreb : Hrvatsko fizikalno društvo, 2003
Skup
Četvrti znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva
Mjesto i datum
Zagreb, Hrvatska, 13.11.2003. - 15.11.2003
Vrsta sudjelovanja
Poster
Vrsta recenzije
Nije recenziran
Ključne riječi
rast kristala; Ohachijeva metoda; ionska vodljivost; Cu-selenid; Ag-selenid
(crystal growth; Ohachi method; ionic conductivity; Cu selenide; Ag selenide)
Sažetak
Pri istraživanju parametara rasta monokristala bakar selenida Ohachijevom metodom ustanovljeno je neslaganje izmjerene i izračunate volumne brzine rasta [1]. Iako su u računanju učinjena pojednostavljenja, utvrđivanje uzroka neslaganja (faktor dva) tražilo je sustavniji pristup. Osim geometrijskog faktora još su dva moguća uzroka neslaganja. To su ekstrapolirana vrijednost ionske vodljivosti i efektivno povećani otpor za rast zbog atomski glatkih ploha tipa 111. Monokristal koji raste kuglastog je oblika sa 6-8 kubooktaedarski razmještenih ploha tipa 111, koje su povremeno neaktivne za rast (nukleacijski mehanizam). U ovom radu provjerili smo vjerodostojnost ekstrapoliranih vrijednosti ionske vodljivosti metodom rasta polikristalnih uzoraka Cu i Ag selenida u cjevčicama konstantnog presjeka (promjera 1 i 2 mm) na temperaturama između 750 K i 800 K. Navedenim uvjetima minimizirali smo utjecaje i geometrije rasta i neaktivnosti površine za rast. Iz eksperimenta rasta izvedene vrijednosti ionske vodljivosti uspoređene s ekstrapoliranim vrijednostima dobivenim iz mjerenja drugim metodama na znatno nižim temperaturama pokazale su vrlo dobro slaganje. Treba napomenuti da je ova metoda jedina izravna metoda koja u miješanim vodičima omogućava mjerenje ionske vodljivosti do temperature taljenja i stoga može uspješno zamijeniti do sada rabljenu metodu polarizacije u kojoj je ionska vodljivost učinak koji jedva dosiže promil. [1] Z. Vučić, J. Gladić, J. Cryst. Growth 205 (1999)136-152.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika
