Pregled bibliografske jedinice broj: 145320
Napredni CMOS elementi
Napredni CMOS elementi, 2004., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
CROSBI ID: 145320 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Napredni CMOS elementi
(Advanced CMOS elements)
Autori
Radinković, Ivica
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad
Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Mjesto
Zagreb
Datum
19.02
Godina
2004
Stranica
93
Mentor
Biljanović, Petar
Neposredni voditelj
Suligoj, Tomislav
Ključne riječi
skaliranje; efekti kratkog kanala; CMOS; FinFET
(scaling; short channel effects; CMOS; FinFET)
Sažetak
Skaliranje CMOS elemenata ušlo je u nanometarsko područje gdje se susreće s nizom fundamentalnih ograničenja. Analizirat ćemo ograničenja litografije, ograničenja napona napajanja i napona praga, ograničenja oksida upravljačke elektrode, efekte kratkog kanala, efekte na visokom elekričnom polju, efekte zbog slučajne raspodjele primjesa i prospojna kašnjenja. Dati ćemo pregled inovativnih struktura koje donose niz svojstvenih poboljšanja. Govorit ćemo o niskotemperaturnom CMOS-u, SiGe MOSFET-u, silicij na izolatoru MOSFET-u, MOSFET-u s dvostrukom upravljačkom elektrodom, FinFET-u, vertikalnom MOSFET-u i silicij na ničemu MOSFET-u. Na kraju ćemo dati analizu rezultata simulacije vertikalnog potpuno osiromašenog silicij na ničemu MOSFET-a. Obrađivane strukture daju nam vjeru u nastavak vladavine CMOS tehnologije u proizvodnji visoko učinkovitih CMOS elemenata.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
