Pregled bibliografske jedinice broj: 123884
Usvajanje i razvoj LPCVD procesa
Usvajanje i razvoj LPCVD procesa, 2003. (ostalo).
CROSBI ID: 123884 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Usvajanje i razvoj LPCVD procesa
(Implementation and development of the LPCVD process)
Autori
Ivanda, Mile
Izvornik
MZT
Vrsta, podvrsta
Ostale vrste radova, ostalo
Godina
2003
Ključne riječi
LPCVD
Sažetak
Rast tankih filmova kemijskom depozicijom iz plinske faze pod niskim tlakom (engl. Low Pressure Chemical Vapour Deposition - LPCVD), jedna je od najvažnijih metoda depozicije tankih filmova i predstavlja temelj modernih tehnologija. Razlozi široke primjene LPCVD metode u zadnje dvije decenije leži prvenstveno u mogućnosti deponiranja različitih elemenata i spojeva na relativno niskim temperaturama, u obliku amorfnih i kristaliničnih filmova, sa velikim stupnjem savršenosti i čistoće. Metodu karakterizira jednostavno rukovanje, visoka pouzdanost operacija, jednostavo održavanje, velika brzina depozicije, uniformna debljina sloja i visoka reproducibilnost. Zbog svega toga ova je metoda našla široku primjenu kod depoziciju tankih filmova u poluvodičkoj industriji. U Hrvatskoj LPCVD metoda je postojala samo u bivšoj tvornici poluvodiča RIZ. Uz podršku bivših djelatnika tvornice kao i podrške Ministarstva znanosti i tehnologije, ova tehnologija se je prenjela na Istitut Ruđer Bošković, gdje se je usvojila i nastavila razvijati. U okviru predavanja biti će izložene osnovne postavke LPCVD metode, kao i koncepcija razvoja novih proizvoda (polisilicijski termički grijač i nanosilicijski laser) temeljenih na tehnologiji depozicije tankih filmova.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika
POVEZANOST RADA