Pregled bibliografske jedinice broj: 100907
Karakterizacija dielektričnih slojeva u poluvodičkoj industriji
Karakterizacija dielektričnih slojeva u poluvodičkoj industriji // IX. jugoslovenski simpozijum o elektrohemiji : radovi / Adžić, Radoslav ; Nikolić, Branislav (ur.).
Beograd: Srpsko hemijsko društvo, 1985. str. 367-370 (predavanje, domaća recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
CROSBI ID: 100907 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Karakterizacija dielektričnih slojeva u poluvodičkoj industriji
(Characterisation of dielectric layer in semiconductive idustry)
Autori
Sinovčević, Renata ; Muštra, Srećko ; Gojo, Miroslav ; Praček, Borut
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni
Izvornik
IX. jugoslovenski simpozijum o elektrohemiji : radovi
/ Adžić, Radoslav ; Nikolić, Branislav - Beograd : Srpsko hemijsko društvo, 1985, 367-370
Skup
Jugoslovenski simpozijum o elektrohemiji (9 ; 1985)
Mjesto i datum
Dubrovnik, Jugoslavija, 01.06.1985. - 06.06.1985
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Domaća recenzija
Ključne riječi
dielektrični slojevi; poliimid; poluvodička industrija; silicijev nitrid
(dielectric layer; polyimid; semiconductor insustry; silicon nitride)
Sažetak
Dielektrični slojevi u poluvodičkoj industriji služe za zaštitu mikroelektroničkih elemenata od vanjskih utjecaja, za intermetalnu izolaciju, kao barijera alfa česticama, kao maskirajući slojevi za selektivnu izmjenu vodljivosti poluvodičkog substrata kao i u nekim drugim postupcima. Danas se od anorganskih slojevaa najviše koriste silicijev nitrid, te silicijev oksid, a od organskih dielektrika polimerni slojevi poliimidnog tipa. Izbor odgovarajućeg dielektrika ovisi o njegovim fizikalnim, termičkim i električnim svojstvima. navedena svojstva moraju biti u najužoj vezi s procesom depozicije sloja. Ovaj rad iznosi rezultate karakterizacije silicijevog nitrida kao predstavnika anorganskih, te poliimida kao predstavnika organskih dielektričnih slojeva. Dobiveni rezultati ukazuju da i anorganski i organski tip dielektričnog sloja zadovoljavaju postavljene zahtjeve zaštite mikroelektroničkih elemenata, a kombinacija silicijevog nitrida i poliimida dala bi najbolju zaštitu.
Izvorni jezik
Hrvatski
