Električki aktivni defekti u 4H-SiC uvedeni zračenjem (CROSBI ID 419248)
Ocjenski rad | diplomski rad
Podaci o odgovornosti
Brodar, Tomislav
Capan, Ivana
hrvatski
Električki aktivni defekti u 4H-SiC uvedeni zračenjem
Ni/4H-SiC Schottky diode n-tipa ozračene su termalnim i brzim neutronima te implantirane s 2MeV He ionima. Zatim, izvršena je karakterizacija strujno-naponskim, kapacitivno-naponskim te mjerenjima tranzijentne spektroskopije dubokih nivoa. Ozračivanje termalnim neutronima u dozama do 1 x 1010 cm-2 nije uzrokovalo promjene karakteristika, što je u skladu s velikom otpornošću SiC na oštećenja pri ozračivanju. Ozračivanje brzim neutronima (pri dozi 1 x 1013 cm-2) je unijelo novi ET2 duboki nivo, dok se koncentracija Z1/2 dubokog nivoa povećala. Brzi neutroni energije oko 0.8 MeV (koji su korišteni u ovom radu) mogu unijeti samo vakancije i intersticije u SiC, stoga opaženi duboki nivoi su vezani uz njih. Kompenzacija je opažena pri dozi 1 x 1014 cm-2 brzih neutrona. Implantacija 2MeV He iona unijela je ET1, Z11/2 i ET2 duboke nivoe te uzrokovala kompenzaciju u području dosega 2MeV He iona u 4H-SiC.
4H-SiC, intrinsiˇcni defekti, ionska implatacija, neutronsko ozraˇcivanje, tranzijentna spektroskopija dubokih nivoa.
nije evidentirano
engleski
Electrically active defects in 4H-SiC introduced by radiation
nije evidentirano
4H-SiC, defects, ion implantation, neutron irradiation, deep level transient spectroscopy
nije evidentirano
Podaci o izdanju
47
15.07.2017.
obranjeno
Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj
Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb
Zagreb