hrvatski

Usporedba transportnih svojstava Si i 4H-SiC detektora

Silicij-karbid (SiC) je poluvodički materijal koji se intenzivno istražuje jer može podnijeti uvjete u kojima prevladavaju visoki iznosi temperature, električne snage, frekvencije i zračenja. Posebnu primjenu našao je u izradi poluvodičkih detektora. U ovom radu usporedili smo transportna svojstva SBD (Schottky barrier diode) detektora od silicija (Si) i 4H-SiC, koji imaju podjednaku dopiranost (n-tip, 10^14 cm-3). Korištena su temperaturno ovisna kapacitivno-naponska (C-V) i strujno-naponska (I-V) mjerenja na temperaturama od 100K do 380K. Pokazali smo da u gotovo svim svojstvima važnim za detektore SiC ima bolje karakteristike u odnosu na Si. Struja curenja, koja određuje minimalnu amplitudu signala u poluvodičkim detektorima, kod SiC je više od deset redova veličine manja nego kod Si. Promjena koncentracije slobodnih nosilaca naboja s temperaturom kod SiC je manja, što znači veću stabilnost i preciznost detektora. Povećanje faktora idealnosti sa spuštanjem temperature kod SiC je puno manje izraženo nego kod Si, i znak je da je zanemariva struja rekombinacije u području osiromašenja. To pokazuje da je mala koncentracija rekombinacijsko – generacijskih centara, što je posljedica izvrsne izrade analiziranog SiC uzorka, a omogućava dobru rezoluciju detektora. Detektor od SiC podvrgnuli smo neutronskom zračenju u TRIGA reaktoru na Institutu Jožef Štefan i zaključili da su transportna svojstva pokazala dobru otpornost s obzirom na primijenjene doze.

poluvodiči ; detektori ; neutronsko zračenje ; silicij-karbid ;

nije evidentirano