Nalazite se na CroRIS probnoj okolini. Ovdje evidentirani podaci neće biti pohranjeni u Informacijskom sustavu znanosti RH. Ako je ovo greška, CroRIS produkcijskoj okolini moguće je pristupi putem poveznice www.croris.hr
izvor podataka: crosbi !

Structural and electrical characterization of the GaAs/InP wafer-fused interface (CROSBI ID 650481)

Prilog sa skupa u zborniku | izvorni znanstveni rad | međunarodna recenzija

Black, K. A. ; Abraham, P. ; Chiu, Y-J. ; Bowers, J. E. ; Hu, E. L. ; Chang, Y-L. ; Babić, D. I. Structural and electrical characterization of the GaAs/InP wafer-fused interface // Proceedings of the MRS 1997 Spring Meeting, Symposium C: Processing of Compound Semiconductors for High Speed Devices, paper C2.10. 1997. str. 63-63

Podaci o odgovornosti

Black, K. A. ; Abraham, P. ; Chiu, Y-J. ; Bowers, J. E. ; Hu, E. L. ; Chang, Y-L. ; Babić, D. I.

engleski

Structural and electrical characterization of the GaAs/InP wafer-fused interface

Structural and electrical characterization of the GaAs/InP wafer-fused interface

Optical design, Vertical cavity surface emitting lasers

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

Podaci o prilogu

63-63.

1997.

objavljeno

Podaci o matičnoj publikaciji

Proceedings of the MRS 1997 Spring Meeting, Symposium C: Processing of Compound Semiconductors for High Speed Devices, paper C2.10

Podaci o skupu

MRS 1997 Spring Meeting, Symposium C: Processing of Compound Semiconductors for High Speed Device

predavanje

01.01.1997-01.01.1997

Sjedinjene Američke Države

Povezanost rada

nije evidentirano