Napredna pretraga

Pregled bibliografske jedinice broj: 860316

Epitaksijalni grafen na Ir(111) – karakterizacija rasta i strukture


Petrović, Marin; Šrut, Iva; Pervan, Petar; Sadowski, Jurek; Valla, Tonica; Runte, Sven; Busse, Carsten; Michely, Thomas; Kralj, Marko
Epitaksijalni grafen na Ir(111) – karakterizacija rasta i strukture // 7. znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva
Primošten, Hrvatska, 2011. (predavanje, domaća recenzija, sažetak, znanstveni)


Naslov
Epitaksijalni grafen na Ir(111) – karakterizacija rasta i strukture
(Epitaxial graphene on Ir(111) - growth and structure characterization)

Autori
Petrović, Marin ; Šrut, Iva ; Pervan, Petar ; Sadowski, Jurek ; Valla, Tonica ; Runte, Sven ; Busse, Carsten ; Michely, Thomas ; Kralj, Marko

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni

Skup
7. znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva

Mjesto i datum
Primošten, Hrvatska, 13-16.10.2011.

Vrsta sudjelovanja
Predavanje

Vrsta recenzije
Domaća recenzija

Ključne riječi
Grafen, epitaksijalni rast, iridij, TPG, CVD
(Graphene, epitaxial growth, iridium, TPG, CVD)

Sažetak
Posljednjih godina je grafen, atomski tanak sloj ugljikovih atoma, u fokusu interesa velikog broja istraživača zbog mnogih zanimljivih svojstva koja proizlaze iz njegove specifične strukture [1]. Razvijeno je nekoliko metoda koje se koriste za formaciju grafena među kojima su i TPG (Temperature Programmed Growth) i CVD (Chemical Vapour Deposition) [2] kod kojih se dekompozicijom ugljikovodika na površini određenih prijelaznih metala stvaraju grafenski slojevi visoke strukturne kvalitete. Tako dobiven grafen je ujedno zanimljiva polazišna točka za formiranje kompleksnijih sistema, grafenskih hibrida, koji se mogu dobiti npr. interkalacijom različitih atoma između grafena i substrata. Ovdje prezentiramo rezultate istraživanja rasta grafena te svojstva cjelovitog grafenskog monosloja na Ir(111). Grafen je formiran pomoću TPG + CVD procedura gdje se kontroliranjem osnovnih fizikalnih parametara (tlak, temperatura) može utjecati na način rasta grafena. Osim proučavanja čistog grafena na iridiju, istražena je struktura takvog sustava nakon što se na njega deponiraju atomi cezija. Korištenjem ARPES (Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy) tehnike dobiven je jasan uvid u elektronsku strukturu grafena i iridija sa fokusom na rub Brillouinove zone grafena gdje nalazimo Diracov konus [3]. Dodatna karakterizacija u realnom i inverznom prostoru izvedena je pomoću LEEM (Low Energy Electron Microscopy) i LEED (Low Energy Electron Diffraction) tehnika. [1] A. K. Geim i K. S. Novoselov, Nature Mat. 6, 183 (2007) [2] J. Coraux et al., New J. Phys. 11, 023006 (2009) [3] I. Pletikosić et al., Phys. Rev. Lett. 102, 056808 (2009)

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika



POVEZANOST RADA


Ustanove
Institut za fiziku, Zagreb