engleski

Complete set of deep traps in semi-insulating GaAs

Visoko-otporni (SI) GaAs koristi se kao osnova u proizvodnji integriranih krugova, tranzistora s efektom polja i mnogih drugih sličnih uređaja. Njihov rad ovisi o kvaliteti supstrata, čija su svojstva ovisna o defektima s dubokim nivoima u zabranjenom procjepu. Stoga je važno pratiti i razumjeti utjecaj tih defekata na svojstva SI GaAs te izvršiti njihovu karakterizaciju (određivanje dubine pripadnih nivoa, Ea, i uhvatnog udarnog presjeka,  ). Načinili smo ponovnu analizu velikog broja mjerenja termički stimuliranih struja (TSC) na SI GaAs. Riječ je o objavljenim rezultatima različitih grupa autora nastalih u zadnjih tridesetak godina. Primjenili smo novu analitičku metodu za istovremenu karakterizaciju svih dubokih zamki (SIMPA), kojom se mogu jasno razlučiti doprinosi različitih bliskih vrhova u TSC spektru. Analizirani TSC spektri pripadaju uzorcima SI GaAs koji se po mnogo čemu međusobno razlikuju, bilo da je riječ o različitim tehnikama rasta ili o potpuno različitim tretmanima koje su prošli (npr. rast kristala uz suvišak As ili Ga, različit “ annealing” , ozračivanje neutronima,  zrakama i dr.). Unatoč tome što je metoda SIMPA primjenjena na međusobno potpuno različite TSC spektre, u svim slučajevima dobivene su odlične krivulje prilagodbi (“ fitting” ) i to s jedinstvenim skupom (ili njegovim podskupom) od jedanaest različitih dubokih zamki. Jedina razlika je dobivena pri određivanju relativnih i apsolutnih koncentracija zamki. Unatoč raznolikosti analiziranih uzoraka, dobiveni skup zamki je isti kao i onaj dobiven nedavno, i to na puno užem izboru SI GaAs uzoraka. Ovi rezultati ukazuju na to da je ovaj skup zamki konačan i potpun skup defekata s dubokim nivoima u SI GaAs. Također je zaključeno da su ti defekti kompleksi koji se uglavnom sastoje od jednostavnih prirođenih defekata.

deep traps; semi-insulating GaAs; thermally stimulated currents

nije evidentirano