Spektroskopija termoelektričnim efektom : primjena na tankom filmu visokootpornog GaN (CROSBI ID 483522)
Prilog sa skupa u zborniku | sažetak izlaganja sa skupa | međunarodna recenzija
Podaci o odgovornosti
Pavlović, Mladen ; Desnica, Uroš ; Fang, ZhaoQiang ; Look, David
hrvatski
Spektroskopija termoelektričnim efektom : primjena na tankom filmu visokootpornog GaN
Načinjena je nova, pojednostavljena metoda za mjerenje spektroskopije termo-električnim efektom (TEES). Metoda je pogodna za mjerenja na tankim filmovima deponiranim na podlogu. Temperaturni gradijent duž uzorka postignut je bez ugradbe dodatnog grijača. Metoda je primjenjena na tankom, visoko-otpornom filmu GaN, deponiranom na podlozi od safira (Al2O3), metodom MBE (molecular beam epitxy) sa ciljem određivanja predznaka dubokih zamki, tj. određivanja elektronskih i šupljinskih zamki. Mjerenja su pokazala da su TEES struje negativne na nižim temperaturama a pozitivne na višim. To znači da plići nivoi pripadaju elektronskim, a dublji šupljinskim zamkama. U karakterizaciji dubokih zamki korištena su i mjerenja termički stimuliranih struja (TSC) te analitička metoda SIMPA (Simultaneous Multiple Peak Analysis). Utvrđeno je da najplića elektronska zamka ima aktivacijsku energiju Ec-0.09 eV, a najplića šupljinska Ev + 0.167 eV.
spektroskopija termoelektričnim efektom; visokootporni GaN
nije evidentirano
engleski
Thermoelectric effect spectroscopy applied on semi-insulating GaN thin film
nije evidentirano
Thermoelectric effect spectroscopy; semi-insulating GaN
nije evidentirano
Podaci o prilogu
23-23-x.
2002.
objavljeno
Podaci o matičnoj publikaciji
Podaci o skupu
9. Međunarodni sastanak, Vakuumska znanost i tehnika,
poster
15.05.2002-15.05.2002
Trakošćan, Hrvatska
