hrvatski

Defekti u siliciju nastali implantacijom vodika

Sveobuhvatno razumijevanje ponašanja defekata, uzrokovanih implantacijom i zagrijavanjem, predstavlja veliki znanstveni izazov, jer zahtijeva određivanje složenih pojava kao što je međudjelovanje defekata s nečistoćama. Cilj ovog istraživanja bio je dobivanje važnih spoznaja o strukturnim defektima nastalih implantacijom vodika u monokristal silicija, te dinamici nastajanja i nestajanja defekata uslijed termičkog tretmana. Vodik je vrlo pokretljiv i reaktivan, te već u prvoj fazi implantacije međudjeluje s nastalim strukturnim defektima i formira nove, složene strukture. Implantacija vodika je vršena ionskim snopom energije 15.5 keV. Utjecaj termičkog tretmana na strukturne defekte proučavan je u širokom temperaturnom području (100°C-900°C). Nastale promjene istraživane su električnim metodama (posebno DLTS). Rezultati ovih istraživanja upućuju na značajan utjecaj vodika na transformacije strukturnih defekata nastalih implantacijom.

defekti; implantacija; monokristal silicija; vodik; strukturni defekti; DLTS; termički tretman

nije evidentirano