hrvatski

Površinska i podpovršinska analiza nanostrukture W-C sloja na Si podlozi

Sloj volfram-karbida (debljine oko 0.5 mm) nanešen je na silicijsku podlogu magnetronskim rasprašenjem volframa u reaktivnoj atmosferi mješavine benzena i argona. Struktura površine i podpovršinskog W-C sloja u smjeru okomitom na površinu istraživana je raspršenjem x-zračenja pod malim kutem uz mali upadni kut (GISAXS tehnika) ; nanostruktura uzduž sloja analizirana je raspršenjem x-zračenja pod malim kutem u transmisijskoj geometriji (SAXS tehnika) ; a kristalografska tekstura raspršenjem pod velikim kutem (WAXS tehnika). GISAXS spektri su analizirani kao suma dva doprinosa: površinsko i podpovršinsko raspršenje. Površinsko raspršenje smo analizirali u okviru Bornove aproksimacije distordiranih valova (DWBA), a podpovršinsko koristeći teoriju local monodisperse approximation (LMA). Kritični kut površinskog sloja ukazuje na WC1-x kompoziciju istog, uz x ť 0.5. Difuzno raspršenje prstenastog oblika, izvan spekularne ravnine, posljedica je korelacije podpovršinskih nehomogenosti koje smo pripisali nanočesticama WC1-x faze u matrici nevezanog ugljika. Oblik čestica je približno sferičan s relativno uskom širinom raspodjele veličina (promjer: 2 ą 0.2 nm). SAXS spektri otkrivaju izotropnu korelaciju među nanočesticama, a WAXS spektri djelomičnu teksturu WC1-x nanokristalića duž nanešenog sloja.

nije evidentirano

nije evidentirano