hrvatski

Anodno ponašanje Al-In legure u otopini boratnog pufera

Primjenom cikličke voltametrije i elektrokemijske impedancijske spektroskopije ispitani su mehanizam, kinetika rasta i svojstva oksidnih filmova na Al-In legurama (sa sadržajem In do 0.074 %) u otopini boratnog pufera (pH 7.8) pri 25oC. Ciklički voltamogrami snimani su u području potencijala od EOCP/1.2 V/-1.7 V/EOCP uz različite brzine promjene potencijala (od 20 do 100 mV s-1). Impedancijska mjerenja provedena su na potenciodinamički izgrađenim oksidnim filmovima (do potencijala u pasivnom području od 1.2 V uz različite brzine promjene potencijala). Po završetku anodizacije potencijal elektrode je vraćen na potencijal otvorenog strujnog kruga, gdje su, nakon stabilizacije (30 minuta) snimljeni impedancijski spektri. Ustanovljeno je da se rast oksidnih filmova na Al-In legurama zbiva ionskom vodljivošću pod djelovanjem visokog električnog polja. Određeni su kinetički parametri rasta oksida, ionska vodljivost, te poluširina barijere za prijenos iona kroz oksidni sloj. Mjerenjem impedancije dobiven je uvid u karakteristične veličine potenciodinamički formiranih oksidnih filmova. Predloženi su ekvivalentni krugovi koji u potpunosti oslikavaju ispitane sustave Al-In legura/oksidni film/elektrolit, te određene vrijednosti za pojedine elemente u krugu. Ustanovljeno je da debljina i otpor oksidnog filma raste porastom sadržaja indija u leguri. Nadalje, povećanje sadržaja In u leguri dovodi do porasta iskorištenja struje za formiranje oksidnog filma.

Al-In legura; oksidni film; mehanizam i kinetika rasta; elektrokemijska impedancijska spektroskopija

nije evidentirano