hrvatski

Interakcija laganih i nedopirajućih primjesa sa strukturnim defektima u siliciju

Unatoč postojećim nesuglasicama, uglavnom je prihvaćeno stajalište da makroskopska električna i optička svojstva silicija znatno ovise o prisutnim strukturnim defektima u materijalu i njihovim interakcijama s prisutnim nečistoćama. Kisik i ugljik dvije su najvažnije nenamjerno uvedene lake primjese unutar silicija. Zbog specifičnosti tehnike dobivanja materijala u EFG polikristaliničnom siliciju se nalazi vrlo visoka koncentracija strukturnih defekata (dislokacije, granice zrna) kao i ugljika (u prezasićenju), dok je koncentraciju kisika moguće mijenjati. Stoga ovaj materijal može poslužiti kao modelni materijal za istraživanje inetarkcije lakih primjesa sa strukturnim defektima u siliciju. Po prvi puta je provedena sistematska studija interakcije lakih nedopirajućih primjesa sa strukturnim defektima u siliciju. Korištene su DLTS, IR i IBICC mjerne tehnike. Utjecaj termičkog tretmana na defektne strukture unutar materijala proučavan je u širokom temperaturnom području. Po prvi puta prezentirano je ponašanje monokristaliničnog silicija s uvedenim (tijekom rasta) dislokacijama pri termičkim tretmanima na različitim temperaturama. Svi su rezultati uspoređeni i diskutirani u odnosu na postojeće literaturne izvore. Dekoracija strukturnih defekata s prisutnim lakim nečistoćama znatno utječe na svojstva materijala i njegov odziv na termički tretman. Uloga O/C omjera, kao bitnog faktora koji utječe na svojstva materijala, posebno je istaknuta.

defekti; polikristalinični silicij; monokristalinični silicij; kisik; ugljik; strukturni defekti; električna aktivnost; DLTS; IR; IBICC; termički tretman

nije evidentirano