hrvatski

Određivanje dimenzija nanostruktura u poroznom siliciju iz efekata zatočenja

Uzorci poroznog silicija pripremljeni su elektrokemijskom anodizacijom p i n dopiranih silicijskih supstrata. Anodizacija je obavljena u elektrolitu baziranom na fluorovodičnoj kiselini (HF), u galvanostatskim uvjetima. Vrijeme anodizacije i jakost struje su varirani, dok je ukupan naboj potrošen u anodizaciji držan konstantnim. Ostvarene su različite vrijednosti valencije rastvaranja poroznog silicja nd. Uzorci su karakterizirani gravimetrijskim mjerenjima, pretražnom elektronskom mikroskopijom, spektroskopijom fotoluminiscencije i Ramanovom spektroskopijom. Učinak fononskog zatočenja u nanostrukturama poroznog silicija opažan je Ramanovom spektroskopijom. Opažena je jaka korelacija fononskog zatočenja sa valencijom rastvaranja nd i veličinom nanostruktura dobivenom iz modela kvantnog zatočenja prilagođenog na mjerenja fotoluminiscencije. Kod pripreme uzoraka opažena je nestabilnost površinske morfologije u slučajevima kada je elektrolit vodljiviji od silicijskog supstrata.

kvantno zatočenje; porozni silicij; nanostrukture; gravimetrija; anodizacija

nije evidentirano