Napredna pretraga

Pregled bibliografske jedinice broj: 678076

Rast anizotropne rešetke Ge kvantnih točaka u amorfnoj Al2O3 matrici


Buljan, Maja; Roshchupkina, Olga; Šantić, Ana; Holy, Vaclav; Baehtz, Carsten; Radić, Nikola; Bernstorff, Sigrid; Grenzer, Joerg;
Rast anizotropne rešetke Ge kvantnih točaka u amorfnoj Al2O3 matrici // Knjiga sažetaka 8. znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva / Miroslav Požek, Ticijana Ban, Ante Bilušić, Predrag Dominis Prester, Andreja Gajović, Krešimir Kumerički, Ivana Kurečić, Nenad Pavin, Vanja Radolić, Suzana Szilner, (ur.).
Zagreb: Hrvatsko fizikalno društvo, Zagreb, Hrvatska, 2013. str. 43-43 (predavanje, domaća recenzija, sažetak, ostalo)


Naslov
Rast anizotropne rešetke Ge kvantnih točaka u amorfnoj Al2O3 matrici
(Growth of anisotropic lattice of Ge quantum dots in an amorphous Al2O3 matrix)

Autori
Buljan, Maja ; Roshchupkina, Olga ; Šantić, Ana ; Holy, Vaclav ; Baehtz, Carsten ; Radić, Nikola ; Bernstorff, Sigrid ; Grenzer, Joerg ;

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, ostalo

Izvornik
Knjiga sažetaka 8. znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva / Miroslav Požek, Ticijana Ban, Ante Bilušić, Predrag Dominis Prester, Andreja Gajović, Krešimir Kumerički, Ivana Kurečić, Nenad Pavin, Vanja Radolić, Suzana Szilner, - Zagreb : Hrvatsko fizikalno društvo, Zagreb, Hrvatska, 2013, 43-43

ISBN
978-953-7178-15-4

Skup
8. znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva

Mjesto i datum
Primošten, Hrvatska, 06-08.10.2013

Vrsta sudjelovanja
Predavanje

Vrsta recenzije
Domaća recenzija

Ključne riječi
Ge kvantne toče; anizotropna rešetka; električna svojstva
(Ge quantum dots; anisotropic lattice; electrical properties)

Sažetak
Jednostavni procesi priprave uređenih rešetaka poluvodičkih kvantnih točaka u dielektričnim matricama imaju važnu ulogu u nanotehnologiji. Od posebnog interesa su rešetke kvantnih točaka sa svojstvima koja se bitno razlikuju u raznim smjerovima paralelnim površini materijala. U radu pokazujemo jednostavnu metodu priprave anizotropne rešetke Ge kvantnih točaka smještenih u amorfnoj Al2O3 matrici, korištenjem samouređenog rasta. Za postizanje željene anizotropije je korištena specifična geometrija depozicije materijala metodom magnetronskog rasprašenja. Opažena strukturna svojstva materijala i anizotropija je objašnjena kombinacijom efekata usmjerene difuzije deponiranog materijala na površini i zasjenjenja zbog specifične morfologije površine. Napravljeni materijal također pokazuje jaku anizotropiju u električnoj vodljivosti u raznim smjerovima paralelnim površini.

Izvorni jezik
Engleski

Znanstvena područja
Fizika, Kemija



POVEZANOST RADA


Projekt / tema
098-0982886-2859 - Sinergija nanofaza i nanokompozita (Maja Buljan, )
098-0982886-2895 - Novi amorfni i nanostrukturirani tankoslojni materijali (Nikola Radić, )
098-0982929-2916 - Utjecaj strukture na električna svojstva (bioaktivnih) stakala i keramike (Andrea Moguš-Milanković, )

Ustanove
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb