engleski

Growth of anisotropic lattice of Ge quantum dots in an amorphous Al2O3 matrix

Jednostavni procesi priprave uređenih rešetaka poluvodičkih kvantnih točaka u dielektričnim matricama imaju važnu ulogu u nanotehnologiji. Od posebnog interesa su rešetke kvantnih točaka sa svojstvima koja se bitno razlikuju u raznim smjerovima paralelnim površini materijala. U radu pokazujemo jednostavnu metodu priprave anizotropne rešetke Ge kvantnih točaka smještenih u amorfnoj Al2O3 matrici, korištenjem samouređenog rasta. Za postizanje željene anizotropije je korištena specifična geometrija depozicije materijala metodom magnetronskog rasprašenja. Opažena strukturna svojstva materijala i anizotropija je objašnjena kombinacijom efekata usmjerene difuzije deponiranog materijala na površini i zasjenjenja zbog specifične morfologije površine. Napravljeni materijal također pokazuje jaku anizotropiju u električnoj vodljivosti u raznim smjerovima paralelnim površini.

Ge quantum dots; anisotropic lattice; electrical properties

nije evidentirano