Growth of anisotropic lattice of Ge quantum dots in an amorphous Al2O3 matrix (CROSBI ID 607006)
Prilog sa skupa u zborniku | sažetak izlaganja sa skupa | domaća recenzija
Podaci o odgovornosti
Buljan, Maja ; Roshchupkina, Olga ; Šantić, Ana ; Holy, Vaclav ; Baehtz, Carsten ; Radić, Nikola ; Bernstorff, Sigrid ; Grenzer, Joerg ;
engleski
Growth of anisotropic lattice of Ge quantum dots in an amorphous Al2O3 matrix
Jednostavni procesi priprave uređenih rešetaka poluvodičkih kvantnih točaka u dielektričnim matricama imaju važnu ulogu u nanotehnologiji. Od posebnog interesa su rešetke kvantnih točaka sa svojstvima koja se bitno razlikuju u raznim smjerovima paralelnim površini materijala. U radu pokazujemo jednostavnu metodu priprave anizotropne rešetke Ge kvantnih točaka smještenih u amorfnoj Al2O3 matrici, korištenjem samouređenog rasta. Za postizanje željene anizotropije je korištena specifična geometrija depozicije materijala metodom magnetronskog rasprašenja. Opažena strukturna svojstva materijala i anizotropija je objašnjena kombinacijom efekata usmjerene difuzije deponiranog materijala na površini i zasjenjenja zbog specifične morfologije površine. Napravljeni materijal također pokazuje jaku anizotropiju u električnoj vodljivosti u raznim smjerovima paralelnim površini.
Ge quantum dots; anisotropic lattice; electrical properties
nije evidentirano
nije evidentirano
nije evidentirano
nije evidentirano
nije evidentirano
nije evidentirano
Podaci o prilogu
43-43.
2013.
objavljeno
Podaci o matičnoj publikaciji
Knjiga sažetaka 8. znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva
Miroslav Požek, Ticijana Ban, Ante Bilušić, Predrag Dominis Prester, Andreja Gajović, Krešimir Kumerički, Ivana Kurečić, Nenad Pavin, Vanja Radolić, Suzana Szilner,
Zagreb: Hrvatsko fizikalno društvo
978-953-7178-15-4
Podaci o skupu
8. Znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva
predavanje
06.08.2013-06.08.2013
Primošten, Hrvatska