Napredna pretraga

Pregled bibliografske jedinice broj: 671447

Analiza strukture, elektronskih i transportnih svojstava visokodopiranih polikristalnih silicijskih tankih filmova


Žonja, Sanja
Analiza strukture, elektronskih i transportnih svojstava visokodopiranih polikristalnih silicijskih tankih filmova 2013., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb


Naslov
Analiza strukture, elektronskih i transportnih svojstava visokodopiranih polikristalnih silicijskih tankih filmova
(Analysis of structure, electronic and transport properties of heavily doped polycrystalline silicon thin films)

Autori
Žonja, Sanja

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, doktorska disertacija

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
04.07

Godina
2013

Stranica
136

Mentor
Ivanda, Mile ; Koričić, Marko

Ključne riječi
Polikristalni silicij; rast zrna iz amorfne faze; Fano interakcija; temperaturne ovisnosti električnih karakteristika; koncentracije nosilaca; mehanizmi raspršenja; elektron-elektron interakcija; termoelektrična svojstva; silicijski grijači element
(Polycrystalline silicon; grain boundaries; grain growth from the amorphous phase; Fano interaction; temperature dependence of electrical; carrier concentration; dispersion mechanisms; electron-electron interaction; termoelectric properties; silicon heating element)

Sažetak
U radu su analizirani visokodopirani silicijski filmovi s ciljem razvoja grijaćeg, odnosno termoelektričnog elementa. Pri strukturalnoj analizi, predstavljen je model rasta zrna iz amorfne faze koji, za razliku od poznatih modela, predviđa stagnaciju rasta prije nego se dosegne monokristalna faza. Potreba za preciznim predviđanjem ponašanja električnih karakteristika nameće i nužnost točnog određivanja koncentracije slobodnih nosilaca. Osim određivanja koncentracije nosilaca iz vrijednosti slojnog otpora, alternativno su predstavljeni i modeli određivanja broja nosilaca iz parametara Fano interakcije prema ponašanju O(Γ) vrpce Ramanovog spektra te iz linearne ovisnosti Seebeckovog koeficijenta. Postignuta su zadovoljavajuća međusobna slaganja dobivenih vrijednosti. Za razliku od postojećih modela raspršenja nosilaca koji u obzir uzimaju elektron-elektron raspršenje kao korekciju već postojećim mehanizmima raspršenja, temperaturne ovisnosti električnog otpora ukazuju da je ovaj mehanizam dominantan na niskim temperaturama te se proteže čak do 80 K. Kao aktivni sloj grijaćeg elementa najbolji izbor je uzorak dopiran borom s najmanjom koncentracijom primjesa čija se ovisnost otpora o temperaturi može aproksimirati konstantom do temperature od 25 K. Najviši iznos faktora termoelektrične snage imao je uzorak dopiran borom s NA= 8, 4 ∙10^19cm^-3. Postojeći teoretski model vođenja struje polislicija uklopljen je u proračun ovisnosti termoelektrične snage o koncentraciji. Prema predstavljenom izračunu, maksimalna vrijednost TE faktora snage nije samo funkcija koncentracije primjesa nego i je i obrnuto proporcionalna veličini zrna polikristalnog silicija.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika, Elektrotehnika



POVEZANOST RADA


Projekt / tema
036-0982904-1642 - Sofisticirane poluvodičke strukture za komunikacijsku tehnologiju (Marko Koričić, )
098-0982904-2898 - Fizika i primjena nanostruktura i volumne tvari (Mile Ivanda, )

Ustanove
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

Autor s matičnim brojem:
Sanja Žonja, (296040)