hrvatski

Efekti dopiranja epitaksijalnog grafena na Iridiju (111)

Jedinstvena elektronska svojstva grafena izvor su velikih očekivanja za primjenu ovog novog materijala, na primjer u budućim elektroničkim uređajima i spintronici. Za tu svrhu poželjna je mogućnost manipulacije strukturom njegovih elektronskih vrpci. Pokazali smo da je moguće raditi tzv. inženjering elektronske strukture fino tunirajući Diracov konus epitaksijalnog grafena na Ir(111), koji se pokazao kao dobar modelni sistem za gotovo neutralni grafen izuzetne strukturne kvalitete na makroskopskim skalama. Interkalirali smo dva alkalijska metala, Li i Cs, što je dovelo do dopiranja grafena n-tipom nosioca naboja. Dopiranje različitim alkalijskim metalima vodilo je na različite fine efekte, kao što su: (a) kontinuirano ili diskretno dopiranje, (b) otvaranje procijepa u Diracovoj točki i (c) promjenu grupne brzine. Proučavali smo te efekte direktnom usporedbom strukture vrpci, mjerene kutno razlučivom fotoemisijskom spektroskopijom (ARPES). ARPES podaci upotpunjeni su karakterizacijom procesa interkalacije u realnom prostoru i vremenu pomoću elektronskog mikroskopa niskih energija (LEEM). Razumijevanje promjena u elektronskoj strukturi u dobrom su slaganju i sa provedenim računima funkcionala gustoće (DFT), koji su provedeni pomoću VASP paketa.

grafen; Ir(111); dopiranje

nije evidentirano