hrvatski

Korugirani grafen: zašto ravna grafenska plahta nije uvijek poželjna

Grafen je atomski tanak materijal kojeg tvori heksagonalna mreža ugljikovih atoma i zbog svojih izuzetnih svojstava smatra ga se obećavajućim materijalom za upotrebu u budućim elektroničkim uređajima. Ali potencijalnu upotrebu u, na primjer, novim tranzistorima ograničava činjenica da je grafen polumetal, to jest da nema procjep u svojoj elektronskoj strukturi. Stoga je u istraživanju grafena veliki naglasak stavljen na razne načine modifikacije grafenske elektronske strukture i moguće otvaranje procjepa. Teorijski takav inženjering elektronske strukture mogao bi se postići, između ostalog, uvođenjem periodičkog potencijala ili naprezanja u grafenski sustav. Ovdje donosimo istraživanje rasta grafena na periodički stepenastoj površini Ir(332) [1] koje predstavlja potencijalnu eksperimentalnu realizaciju navedenih teorijskih predviđanja. Grafen je na površini Ir(332) dobiven kombinacijom dva procesa rasta: temperaturno kontroliranim rastom i depozicijom kemijskih para. Dobiveni sustav je karakteriziran s više strukturnih i spektroskopskih tehnika kao što je skenirajuća tunelirajuća mikroskopija i spektroskopija, nisko- energetska elektronska difrakcija, kutno razlučiva fotoemisijska spektroskopija itd. Pokazali smo da dobiveni grafen prekriva cijelu površinu uzorka ali i uzrokuje značajno restrukturiranje površine iridija, pri čemu se stvaraju široke terase omeđene visokim grupama stepenica. Strukturna i elektronska svojstva tako korugiranog grafena se uvelike razlikuju ovisno o rotaciji grafena u odnosu na površinu iridija i o položaju grafena na terasi ili na stepenicama. Rast grafena na stepeničastoj površini predstavlja dobar način ostvarivanja strukturne modulacije grafena što u konačnici utječe na njegova elektronska svojstva. [1]I.Šrut et al. Carbon 56(2013)193-200

grafen; vicinalne površine

nije evidentirano