engleski

Influence of crystal defects on phase excitations of charge density waves

U ovoj disertaciji izučavan je utjecaj defekata na prijelaz u stanje vala gustoće naboja (VGN) i svojstva niskoenergetskih pobuđenja faze VGN- a, u ozračenim i dopiranim uzorcima VGN sistema o-TaS3. Smrzavanje fazne dinamike na temperaturi TG, kao dio složenih svojstva niskoenergetskih pobuđenja u VGN sistemima, posljedica je vezanja VGN-a sa defektima i slobodnim nosiocima naboja. Predloženi kriterij smrzavanja , prema kojem je TG određena brojem slobodnih nosilaca naboja u domeni korelacije faze VGN-a je, kao glavni motiv istraživanja, u ovoj disertaciji potvrđen na uzorcima sa širokim rasponom udjela defekata. Transportna i dielektrična mjerenja, u širokom temperaturnom, naponskom i frekventnom području, pokazuju da defekti uzrokuju promjenu polja praga, niskofrekventne dinamike i dielektrične konstante, ali ne i linearne vodljivosti iznad TG, dok je ispod TG opažena samo promjena u linearnoj vodljivosti. Pokazano je da je zapinjanje faze u ozračenim uzorcima iznad TG jakog, a u dopiranim slabog karaktera. Ispod TG javlja se nelinearni kanal vodljivosti skokova varijabilnog dosega.

crystal defects ; charge density waves ; TaS3 ; phase excitations

nije evidentirano