hrvatski

Rast i formiranje ravnih ploha na površini kuglastog monokristala bakar selenida pri konstatnom dotoku atoma bakra i stalnom tlaku selenovih para

Istraživan je rast i dinamika rasta kuglastih monokristala kvaziravnotežnog oblika nestehiometrijskog bakar selenida pri rastu modificiranom Ohachijevom metodom [1] [2] na temperaturi 50 K nižoj od temperature isčezavanja ravnih ploha, T_R = 850 K. Površina kuglastog kristala djelomično je prekrivena ravnim plohama raspored kojih odslikava internu kristalnu simetriju. U termodinamičkoj ravnoteži plohe i zaobljeni dijelovi su u koegzistenciji te predstavljaju fazni dijagram s dvije faze odvojene faznim granicama odnosno rubovima ploha. Takav objekt smatra se kristalom ravnotežnog oblika ili ECS. Tijek rasta sniman je CCD kamerom, povezanom s računalom, što je omogućilo mjerenje dijametra kuglastog kristala, dijametara ploha i, indirektno, udaljenosti ploha od centra kugle. Eksperimenti su pokazali dvije nove značajke dinamike rasta. Prvo, opažena je eksponencijalna relaksacija reducirane veličine plohe (na radijus kuglice) s jedinstvenim karakterističnim vremenom relaksacije od 1200+-100 minuta. U okviru poznatih modela i fizičkih karakteristika materijala neobjašnjiva je tako velika vremenska konstanta, a pogotovo činjenica da kristal u rastu na 800 K eksponencijalno gubi "sjećanje" na svoj izvorni poliedarski oblik karakterističan za T = 0 K. Drugo, superponirano na eksponencijalnu relaksaciju opažene su vremenski i amplitudno nepravilne (prije kvaziperiodične nego neperiodične) oscilacije veličine plohe s periodom od oko 100 minuta. Štoviše postoji indikacija korelacije lateralnih oscilacija plohe i oscilacije u vertikalnom rastu plohe tako da položaj plohe miruje dok ploha raste u širinu. Slična pojava opažena je nedavno pri rastu plohe 0001 hcp ^4He kristala na temperaturi od 2 mK [3] a oznacena je kao "eruptivni rast", suština kojeg jesu nepravilna izmjena izostanka rasta i eksplozivnog rasta pri konstantnom dotoku materijala za rast. Pri interpretaciji opaženih oscilacija kod bakar selenida koristili smo se modelnim postavkama koje su uporabljene za interpretaciju pojave valova, taljenje/skrućivanje, generiranih na međupovršini čvrsti He/ superfluidni He na temperaturama 20-200 mK [4]. Temelj modela jest jaka anizotropija površinske napetosti na rubu plohe i u njegovoj blizini odnosno na vicinalnim površinama. Literatura [1] T. Ohachi, I. Taniguchi, J. Crystal Growth 65, 84(1983). [2] Z. Vučić, J. Gladić, J. Crystal Growth 205, 136(1999). [3] J.P. Ruutu et al., Phys. Rev. Lett. 76, 4187(1996). [4] E. Rolley, C. Guthmann, S. Balibar, J. Crystal Growth 166, 55(1996)

bakar selenid; ravnotežni oblik kristala; rast kristala; formiranje ploha; oscilacije veličine ploha; vremensko eksponencijalno relaksiranje ploha

nije evidentirano