engleski

Ground-state of 4He clusters adsorbed on graphene

Proučavani su klasteri s N atoma He-4 adsorbirani na jednoj i obje strane grafena. Interakcija klastera He-4 s grafenom modelirana je korištenjem usrednjenog He-C potencijala koji ovisi samo o udaljenosti od površine grafena te s potencijalom koji je konstruiran kao suma pojedinačnih He-C interakcija. Na taj način je procijenjen utjecaj korugacije na osobine vezanja klastera helija. Također je razmotren i utjecaj supstratom meditirane Mclachlanove interakcije. Svi su proračuni izvršeni korištenjem kvantnih Monte Carlo metoda. Na temperaturi nula Kelvina osobine osnovnog stanja klastera 4HeN, za 1< N <50, određene su varijacijskim i difuzijskim Monte Carlo proračunima. Klasteri adsorbirani na obje strane grafena su korelirani. Također, primjećuju se promjene u njihovoj veličini. Za odabrane veće klastere, proračuni su provedeni i na konačnim temperatura simulacijama path integral Monte Carla.

helium ; adsorption ; graphene ; ground-state ; clusters

nije evidentirano