hrvatski

Studij anodnog rasta oksidnih filmova na Al i Al-In legurama

U ovom radu ispitan je mehanizam i kinetika rasta oksidnih filmova na Al i Al-In legurama (sa sadržajem In od 0.020 %, 0.037 % i 0.74 %) u uvjetima galvanostatske anodizacije u otopini boratnog pufera pH=7.8. Ustanovljeno je da se rast oksidnih filmova na Al i Al-In legurama zbiva aktivacijski kontroliranom ionskom vodljivošću pod utjecajem jakog električnog polja kroz oksidni film, prema eksponencijalnom zakonu za ventilne metale. Kinetički parametri rasta oksida, A i B, kao i ionska vodljivost kroz oksidni sloj poprimaju manje iznose što je sadržaj indija u leguri veći. Dobiveni iznosi širina energetskih barijera Al i Al-Sn legura ukazuju na nesmetan prijenos iona između susjednih mjesta pod djelovanjem visokog električnog polja. Određena je jakost električnog polja kroz okside, a dobivena vrijednost reda veličine MV cm-1 opravdava primjenu mehanizma “aproksimacije visokog polja". U uvjetima galvanostatske anodizacije, legura s najnižim sadržajem indija tj. 0.020 % ponaša se slično kao i superčisti aluminij. Sadržaj In u količini 0.037 % ili više znatno utječe na brzinu stvaranja oksidnog filma, na način da se brzina formiranja oksida povećava porastom sadržaja indija u leguri.

aluminij; Al-In legura; oksidni film; mehanizam i kinetika rasta

nije evidentirano