hrvatski

Model za procjenu pouzdanosti dielektričnog sloja u modernim MOS tranzistorima

U modernim MOS unipolarnim tranzistorima izrađenim postupcima visoke integracije, značajno je smanjena ekvivalentna debljina oksidnog sloja. Za pouzdan rad uređaja, ne smije se dogoditi proboj tog tankog dielektričnog sloja ni u uvjetima izloženosti jakim električnim poljima kroz duži vremenski period. Pouzdanost dielektrika upravljačke elektrode tranzistora postaje posebno važna u uvjetima kad se zbog ograničenja potrošnje uređaja nastoji smanjiti radni napon i povećati struja. U ovom radu analizirana je pojava proboja tankog dielektričnog sloja primjenom modela dinamičke perkolacije. Model uzima u obzir nehomogenu raspodjelu električnog polja koja rezultira pojavom lokalnih defekata, odnosno nastankom vodljivih elemenata u dielektričnoj matrici. To su mjesta na kojima se javljaju visoki iznosi lokalnih električnih polja koja utječu na daljnje širenje defekata. Računalnim Monte Carlo simulacijama analizirano je širenje defekata i njihovo povezivanje te pojava proboja dielektričnog filma.

proboj; tanki dielektrički sloj; defekt; MOS; pouzdanost

nije evidentirano