Pretražite po imenu i prezimenu autora, mentora, urednika, prevoditelja

Napredna pretraga

Pregled bibliografske jedinice broj: 541035

Model za procjenu pouzdanosti dielektričnog sloja u modernim MOS tranzistorima


Milanović, Željka; Betti, Tihomir; Marasović, Ivan; Zulim, Ivan; Pivac, Branko
Model za procjenu pouzdanosti dielektričnog sloja u modernim MOS tranzistorima // Knjiga sažetaka 7. znanstvenog sastanka Hrvatskog fizikalnog društva / Gajović, Andreja ; Tokić, Vedrana ; Zorić, Maja ; Maruščak, Tomislav (ur.).
Zagreb: Hrvatsko fizikalno društvo, 2011. (poster, nije recenziran, sažetak, znanstveni)


CROSBI ID: 541035 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca

Naslov
Model za procjenu pouzdanosti dielektričnog sloja u modernim MOS tranzistorima
(Dielectric layer reliability estimation model for modern MOS transistors)

Autori
Milanović, Željka ; Betti, Tihomir ; Marasović, Ivan ; Zulim, Ivan ; Pivac, Branko

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni

Izvornik
Knjiga sažetaka 7. znanstvenog sastanka Hrvatskog fizikalnog društva / Gajović, Andreja ; Tokić, Vedrana ; Zorić, Maja ; Maruščak, Tomislav - Zagreb : Hrvatsko fizikalno društvo, 2011

Skup
7. znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva

Mjesto i datum
Primošten, Hrvatska, 13-16.10.2011

Vrsta sudjelovanja
Poster

Vrsta recenzije
Nije recenziran

Ključne riječi
proboj; tanki dielektrički sloj; defekt; MOS; pouzdanost
(breakdown; thin dielectric film; defect; MOS; reliability)

Sažetak
U modernim MOS unipolarnim tranzistorima izrađenim postupcima visoke integracije, značajno je smanjena ekvivalentna debljina oksidnog sloja. Za pouzdan rad uređaja, ne smije se dogoditi proboj tog tankog dielektričnog sloja ni u uvjetima izloženosti jakim električnim poljima kroz duži vremenski period. Pouzdanost dielektrika upravljačke elektrode tranzistora postaje posebno važna u uvjetima kad se zbog ograničenja potrošnje uređaja nastoji smanjiti radni napon i povećati struja. U ovom radu analizirana je pojava proboja tankog dielektričnog sloja primjenom modela dinamičke perkolacije. Model uzima u obzir nehomogenu raspodjelu električnog polja koja rezultira pojavom lokalnih defekata, odnosno nastankom vodljivih elemenata u dielektričnoj matrici. To su mjesta na kojima se javljaju visoki iznosi lokalnih električnih polja koja utječu na daljnje širenje defekata. Računalnim Monte Carlo simulacijama analizirano je širenje defekata i njihovo povezivanje te pojava proboja dielektričnog filma.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika, Elektrotehnika



POVEZANOST RADA


Projekti:
023-0982886-1612 - Napredni modeli procjene Sunčevog zračenja i primjena u FN pretvorbi energije
069-0362214-1575 - Optimizacija i dizajn vremensko-frekvencijskih distribucija (Sučić, Viktor, MZOS ) ( POIROT)
098-0982886-2866 - Temeljna svojstva nanostruktura i defekata u poluvodičima i dielektricima (Pivac, Branko, MZOS ) ( POIROT)

Ustanove:
Fakultet elektrotehnike, strojarstva i brodogradnje, Split,
Tehnički fakultet, Rijeka,
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb

Profili:

Avatar Url Ivan Marasović (autor)

Avatar Url Ivan Zulim (autor)

Avatar Url Branko Pivac (autor)

Avatar Url Željka Milanović (autor)

Avatar Url Tihomir Betti (autor)


Citiraj ovu publikaciju

Milanović, Željka; Betti, Tihomir; Marasović, Ivan; Zulim, Ivan; Pivac, Branko
Model za procjenu pouzdanosti dielektričnog sloja u modernim MOS tranzistorima // Knjiga sažetaka 7. znanstvenog sastanka Hrvatskog fizikalnog društva / Gajović, Andreja ; Tokić, Vedrana ; Zorić, Maja ; Maruščak, Tomislav (ur.).
Zagreb: Hrvatsko fizikalno društvo, 2011. (poster, nije recenziran, sažetak, znanstveni)
Milanović, Ž., Betti, T., Marasović, I., Zulim, I. & Pivac, B. (2011) Model za procjenu pouzdanosti dielektričnog sloja u modernim MOS tranzistorima. U: Gajović, A., Tokić, V., Zorić, M. & Maruščak, T. (ur.)Knjiga sažetaka 7. znanstvenog sastanka Hrvatskog fizikalnog društva.
@article{article, year = {2011}, keywords = {proboj, tanki dielektri\v{c}ki sloj, defekt, MOS, pouzdanost}, title = {Model za procjenu pouzdanosti dielektri\v{c}nog sloja u modernim MOS tranzistorima}, keyword = {proboj, tanki dielektri\v{c}ki sloj, defekt, MOS, pouzdanost}, publisher = {Hrvatsko fizikalno dru\v{s}tvo}, publisherplace = {Primo\v{s}ten, Hrvatska} }
@article{article, year = {2011}, keywords = {breakdown, thin dielectric film, defect, MOS, reliability}, title = {Dielectric layer reliability estimation model for modern MOS transistors}, keyword = {breakdown, thin dielectric film, defect, MOS, reliability}, publisher = {Hrvatsko fizikalno dru\v{s}tvo}, publisherplace = {Primo\v{s}ten, Hrvatska} }




Contrast
Increase Font
Decrease Font
Dyslexic Font