hrvatski

Studij oksidnih filmova na Al i Al-In leguri primjenom cikličke voltametrije

Metodom cikličke voltametrije ispitan je utjecaj različitog sadržaja indija (0.02 %, 0.037 % i 0.74 %) na mehanizam i kinetiku rasta oksidnih filmova na Al u otopini boratnog pufera pH=7.8 u uvjetima potenciodinamičke anodizacije. Ustanovljeno je da se rast oksidnih filmova na Al i Al-In legurama zbiva aktivacijski kontroliranom ionskom vodljivošću pod utjecajem jakog električnog polja, prema eksponencijalnom zakonu za ventilne metale. Određeni su kinetički parametri rasta oksida, A i B, ionska vodljivost kroz oksidni sloj, (AB), te poluširina barijere za prijenos iona kroz oksidni sloj. U uvjetima potenciodinamičke anodizacije, legura s najnižim sadržajem indija ponaša se slično kao i superčisti aluminij.

aluminij; Al-In legura; oksidni film; mehanizam i kinetika rasta

nije evidentirano