hrvatski

Studij defekata u siliciju implantiranom ionima fosfora energije 40 keV-a

U silicij p-tipa vodljivosti 100 (ohm-cm)(-1) implantirani su ioni fosfora P31 energije 40 keV-a. Smjer implantacije bio je (111). Upotrebljene su doze od 10(na12) i 10(na13) iona po cm2, da bi se izbjeglo dobivanje amorfnog sloja na površini. Izvršena su mjerenja temperaturne zavisnosti Hallovog koeficijenta i vodljivosti slojeva na uzorcima “mesa” strukture nakon napuštanja na višim temperaturama, počevši od 150oC, uz postepeno skidanje slojeva metodom anodne oksidacije. Nakon napuštanja dobiven je donorski nivo fosfora (Ec – 0.044 eV). Diskutiran je mogući utjecaj nehomogenosti u raspodjeli defekata rešetke na određivanje položaja lokaliziranih energetskih nivoa pridruženih defektima uvedenim implantacijom.

implantacija fosfora; silicij; Hallova vodljivost;

predavanje, međunarodna recenzija, znanstveni, sažetak