Rast i karakterizacija poluvodičkih spojeva CuGaxIn(1-x)Te2 (CROSBI ID 572558)
Prilog sa skupa u zborniku | sažetak izlaganja sa skupa
Podaci o odgovornosti
Šantić, Branko ; Etlinger, Božidar ; Gržeta, Biserka
hrvatski
Rast i karakterizacija poluvodičkih spojeva CuGaxIn(1-x)Te2
Opisana je metoda rasta spojeva iz sustava Cu-Ga-In-Te, te su karakterizirana kristalografska, električna i optička svojstva s posebnim naglaskom na promjenu širine energetskog procjepa tako dobivenih poluvodiča u ovisnosti o x.
CuGaxIn(1-x)Te2; rast kristala; poluvodička svojstva
nije evidentirano
engleski
Growth and characterization of semiconductor compounds CuGaxIn (1-x) Te2
nije evidentirano
CuGaxIn (1-x) Te2; crystal growth; semiconductor properties
nije evidentirano
Podaci o prilogu
94-94.
1984.
objavljeno
Podaci o matičnoj publikaciji
IX Jugoslavenski simpozij o fiziki kondenzirane materije, Povzetki, Portorož, 24.- 26.09.1984.
Ljubljana: Institut Jožef Stefan
Podaci o skupu
IX Jugoslavenski simpozij o fiziki kondenzirane materije
poster
24.09.1984-26.09.1984
Portorož, Jugoslavija
