Utjecaj zračenja na optička i električna svojstva kvazi-neuređenog poluvodiča ZnIn2S4 (CROSBI ID 572503)
Prilog sa skupa u zborniku | sažetak izlaganja sa skupa | domaća recenzija
Podaci o odgovornosti
Turković, Aleksandra ; Petrović, Bojan ; Etlinger, Božidar ; Urli, Natko ; Žitar, V.F.
hrvatski
Utjecaj zračenja na optička i električna svojstva kvazi-neuređenog poluvodiča ZnIn2S4
Na monokristalima ZnIn2S4, koji su dobiveni metodom transporta joda(1), izvršena su mjerenja utjecaja gama-zračenja Co60 na fotovodljivost i apsorpciju u području od 4000 do 6000 angstrema. Ozračavanje uzoraka izvršeno je dozom od 2, 5x10(na16) gama/cm, pri čemu je praćena promjena električnog otpora uzorka za vrijeme zračenja. Kod dva maksimuma fotovodljivosti (2, 575 eV i 2, 85 eV), pod utjecajem zračenja, došlo je do pojačanja intenziteta prvog maksimuma (2, 575 eV) i do iščezavanja drugog vrha (2, 85 eV). Budući da se promjene odvijaju u energetskom području iznad zabranjenog procjepa (Eg = 2, 35 eV), pretpostavlja se da je došlo do promjene u površinskim stanjima ovog kristala. (1) S.I.Radaucan i sur. FTP 1975, 9, 12, 2278-83
ZnIn2S4; zračenje poluvodiča; optička i električna svojstva
Rad financiran od strane SIZ-I za znanost
engleski
Effect of radiation on optical and electrical properties of quasi-disorderly semiconductor ZnIn2S4
nije evidentirano
ZnIn2S4; irradiation of semiconductors; optical and electrical properties
nije evidentirano
Podaci o prilogu
115-115.
1982.
objavljeno
Podaci o matičnoj publikaciji
VIII Jugoslavenski simpozij o fizici kondenzirane materije, Zbornik sažetaka radova
Zagreb: Institut "Rudjer Bošković", OOUR Istraživanje materijala i elektronika
Podaci o skupu
VIII Jugoslavenski simpozij o fizici kondenzirane materije,
predavanje
21.09.1982-24.09.1982
Poreč, Jugoslavija