hrvatski

Analiza kvazi-statičkog spojnog kapaciteta Si pn diode i fotodiode

U diplomskom radu dan je opis svojstava poluvodiča p-tipa, n-tipa i i-tipa. Dana je analiza kvazi- statičkog spojnog kapaciteta Si pn diode i fotodiode kod narinutog reverznog stepenastog napona, kao i određivanje koncentracije primjesa i difuzijskog napona pn spoja iz kapacitivno- naponske (C-V) karakteristike. Izvršena su mjerenja impedancije pn diode BY299 i p-i-n uzorka iz a-Si:H s impedancijskim analizatorom Agilent 4395A i određen nadomjesni model diode. Na kraju je dana usporedba mjerenih rezultata s analitički dobivenim rezultatima.

spojni kapacitet; pn dioda; fotodioda

nije evidentirano