Studij defekata uvedenih implantacijom niskoeneretskih kanaliziranih iona P31 u p-tip silicija (CROSBI ID 363887)
Ocjenski rad | magistarski rad (mr. sc. i mr. art.)
Podaci o odgovornosti
Etlinger, Božidar
Urli, Natko
hrvatski
Studij defekata uvedenih implantacijom niskoeneretskih kanaliziranih iona P31 u p-tip silicija
U silicij p-tipa, vodljivosti 100 ohm-cm, implantirani su ioni fosfora P31 na sobnoj temperaturi sa energijom 40 keV. Smjer implantacije je bio (111). Upotrijebljene su doze 10(na12) i 10 (na13) iona po cm2. Izvršena su mjerenja temperaturne zavisnosti Hallovog koeficijenta i vodljivosti slojeva na uzorcima nakon napuštanja na višim temperaturama, počevši od 250C, uz postepeno skidanje slojeva metodom anodne oksidacije. Nakon napuštanja dobiven je donorski nivo fosfora (Ec - 0, 44 eV), te nivoi Ec - 0, 21 eV i Ec - 0, 42 eV koji pripadaju defektima unutar implantiranog sloja. Diskutirana je nehomogenost u raspodjeli tih defekata u ovisnosti o dubini unutar implantiranog sloja, te ovisnost koncentracije defekata o temperaturi napuštanja. U radu je pokazano da kod gore navedenih uvjeta implantacije ne dolazi do stanja degeneriranog sloja unutar silicija. Osim mjerenja Hall efekta i površinske vodljivosti vršena su i mjerenja termostimuliranih struja, infracrvene refleksije, te elektronske spinske rezonancije.
implantacija; defekti
nije evidentirano
engleski
Study of defects in p-type silicon implanted with channeled low energy phosphorus ions
nije evidentirano
implantation; defects
nije evidentirano
Podaci o izdanju
74
13.07.1973.
obranjeno
Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj
Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb
Zagreb