Analiza utjecaja svjetlosno i naponsko induciranih defekata na odziv PIN a-Si:H fotodiode (CROSBI ID 361267)
Ocjenski rad | diplomski rad
Podaci o odgovornosti
Linić, Antonio
Gradišnik Vera
hrvatski
Analiza utjecaja svjetlosno i naponsko induciranih defekata na odziv PIN a-Si:H fotodiode
Dan je kratki pregled CPM i TPC metoda određivanja gustoće stanja u energijskom rascjepu a-Si:H. Izvršena je karakterizacija a-Si:H pin fotodiode. Iz karakterističnog tranzijentnog odziva na simultani svjetlosni i naponski impuls određene su energije defekata. Analizirana je gustoća prostornog naboja i brzina rekombinacija- generacija prema modelu iz literature uporabom dobivenih energija, te objašnjen položaj zamki unutar strukture fotodiode. Dobiveni rezultati su u skladu s rezultatima drugih autora.
a-Si:H; defekti; tranzijentni odziv; fotodioda
nije evidentirano
engleski
Analysis of the light and voltage induced defects influence on PIN a-Si:H photodiode response
nije evidentirano
a-Si:H; defects; transient response; photodiode
nije evidentirano
Podaci o izdanju
I-V, 62
22.09.2010.
obranjeno
Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj
Tehnički fakultet, Rijeka
Rijeka
