hrvatski

Ablacija GaAs primjenom nanosekundnih laserskih pulseva

Laserska pulsna depozicija jednostavna je metoda proizvodnje materijala nanometarskih dimenzija u kojima dominiraju kvantna ograničenja čiji efekti modificiraju svojstva materijala. Ablacija vrlo kratkim pulsevima pokazala se potencijalno primjenjivom u proizvodnji složenih, visekomponentnih slojeva, čija stehiometrija odgovara izvornim materijalima. Galij arsenid (GaAs) je materijal od velikog značaja za elektroničku i optoelektroničku industriju, a zanačaj će mu dodatno porasti ukoliko mu se svojstva podese kvantnim ograničenjima. GaAs nanočestice, čija svojstva su promjenjena zbog kvantnih efekata, već su proizvedene ablacijom nanosekundnim laserskim pulsevima uz prisustvo radnog plina. Najnovije studije pokazale su da su stehiometrijski nanokristaliti dimenzija 2-20 nm proizvedeni čak i bez prisustva radnog plina. U ovom radu proučavan je utjecaj dužine nanosekundnog laserskog pulsa na ablaciju GaAs. U potrazi za optimalim uvjetima za tvorbu nanočestica variran je radni plin (helij, argon) i njegov tlak, te broj pulseva.

GaAs; pulsna laserska ablacija; AFM; GISAXS

nije evidentirano