hrvatski

Perkolacijski model proboja tankog dielektričkog sloja

Visoka integracija i minijaturizacija VLSI sklopova ima za poslijedicu velike gustoće struja u radu sklopa a što dalje dovodi do ubrzanih procesa degradacije dielektričnih slojeva. Zbog toga je od velike važnosti istražiti mehanizme degradacije koji vode ka konačnom proboju dielektričnog sloja odnosno do prestanka rada samog sklopa. U ovom pristupu koristili smo perkolacijsku teoriju koja tretira ponašanje kompleksnih sustava s nasumičnom međupovezanošću. Naše analize pokazuju da je formiranje perkolacijskog grozda uvelike ovisno o debljini sloja. Ovdje ćemo ilustrirati model koji, temeljen na perkolacijskom pristupu objašnjava proboj tankog dielektričkog sloja. Polazeći od statističke generacije defekata u termički aktiviranom procesu i koristeći Monte Carlo simulaciju pokazat ćemo nastajanje proboja i diskutirati perkolacijske aspekte tog procesa.

perkolacija; modeliranje; Monte Carlo simulacija; proboj; tanki dielektrički sloj

nije evidentirano