hrvatski

Proučavanje visoko dopiranih slojeva LPVCD polikristalnog silicija

Visoko borom d-dopirani polisilicijski uzorci dobiveni su pomo´cu kemijske depozicije iz parne faze pri sniženom tlaku (LPCVD) na 750 oC u trajanju od 1 sata. Uzorci su napušteni 1 sat na 1200 oC. Tako dobiveni uzorci imajumali slojni otpor do 8.9W/sq. Koncentracija dopanda odred¯ena je iz vrijednosti slojnog otpora. Pokazujemo takod¯er odred¯ivanje koncentracije nosilaca naboja pomo´cu transverzalnog optiˇckog moda - TO moda Ramanovog spektra. Obje metode daju medjusobno dobro slaganje. Velic ˇine kristalita odred¯ene pomoc´u SEM-a pokazuju jasnu koncentracijsku ovisnost. Uzorci do oko 30 W/sq pokazuju metalni karakter ve´c od sobne temperature. Vodljivost na niskim temperaturama može se opisati sa T1/2 sve do 80 K za najniže otpore, a na višim temperaturama otpor pokazuje T3/2 ovisnost. Termostruja ima takodjer metalni karakter samo je mnogo ve´ca nego u sluˇcaju normalnih metala. Zbog visoke termostruje, do oko 300 μV/K, diskutiramo i termoelektriˇcna svojstva dobivenog materijala. Na osnovu naših istraživanja predlažemo naˇcin kako se termoelektriˇcna svojstva prouˇcavanog materijala Si:B mogu poboljšati.

LPCVD tanki slojevi; Ramanska spektroskopija; električni otpor

nije evidentirano