hrvatski

Germanijske kvantne točke u amorfnoj SiO2 matrici

Germanijeve "kvantne točke" (Ge QDs) ugradene u SiO2 matricu pripravljene su magnetronskim rasprašenjem uz dodatnu termičku obradu. Filmovi su deponirani kao dvoslojevi ; svaki dvosloj sastoji se od "aktivnog" sloja koji sadrži germanij (30-60 posto mol), te od sloja čistog SiO2, čija je funkcija da bude separator izmedu "aktivnih" slojeva. Poslije depozicije uzorci su odgrijavani do Ta = 900oC. Karakterizacija uzoraka uključivala je analitičke metode: GISAXS (Grazing Incidence Small Angle X-ray Scattering), TEM (Transmission Electron Microscopy), Ramanska spektroskopiju te RBS (Rutherford backscattering). Pokazali smo da se sinteza Ge QDs dobre kristaliničnosti te željene veličine QDs (odredene debljinom "aktivnog" sloja) postiže odgrijavanjem u području Ta = 700- 800oC, uz još uvijek održanu periodičnost/dvoslojnost. Za više Ta dolazi do miješanja slojeva, rasta velikih nanočestica pa i gubitka Ge atoma iz sloja kako isparavanjem s površine tako i difuzijom u podlogu. Posebno zanimljivi novopronadeni efekti, kao samo-organizacija Ge QDs u 3D super-rešetku za usko područje Td i odredenu debljinu "separatora", te 3D samo-organizacija nakon dodatne implantacije uzoraka visokoenergetskim ionima bit će prikazani zasebno.

kvantne točke ; magnetronsko raspršenje ; GISAX ; RBS ; nanokristali

nije evidentirano