Napredna pretraga

Pregled bibliografske jedinice broj: 440856

Germanijske kvantne točke u amorfnoj SiO2 matrici


Desnica, Uroš; Buljan, Maja; Salamon, Krešimir; Radić, Nikola; Dubček, Pavo; Siketić, Zdravko; Bogdanović-Radović, Iva; Ivanda, Mile; Bernstorff, Sigrid
Germanijske kvantne točke u amorfnoj SiO2 matrici // Knjiga sažetaka / Buljan, Hrvoje ; Horvatić, Davor (ur.).
Zagreb: Hrvatsko fizikalno društvo, 2009. str. 118-118 (poster, nije recenziran, sažetak, znanstveni)


Naslov
Germanijske kvantne točke u amorfnoj SiO2 matrici
(Germanium quantum dots in amorphous SiO2 matrix)

Autori
Desnica, Uroš ; Buljan, Maja ; Salamon, Krešimir ; Radić, Nikola ; Dubček, Pavo ; Siketić, Zdravko ; Bogdanović-Radović, Iva ; Ivanda, Mile ; Bernstorff, Sigrid

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni

Izvornik
Knjiga sažetaka / Buljan, Hrvoje ; Horvatić, Davor - Zagreb : Hrvatsko fizikalno društvo, 2009, 118-118

ISBN
978-953-7178-12-3

Skup
6. znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva

Mjesto i datum
Primošten, 8-11.10.2009

Vrsta sudjelovanja
Poster

Vrsta recenzije
Nije recenziran

Ključne riječi
Kvantne točke ; magnetronsko raspršenje ; GISAX ; RBS ; nanokristali
(Quantum dots ; magnetron sputtering ; GISAX ; RBS ; nanocrystals)

Sažetak
Germanijeve "kvantne točke" (Ge QDs) ugradene u SiO2 matricu pripravljene su magnetronskim rasprašenjem uz dodatnu termičku obradu. Filmovi su deponirani kao dvoslojevi ; svaki dvosloj sastoji se od "aktivnog" sloja koji sadrži germanij (30-60 posto mol), te od sloja čistog SiO2, čija je funkcija da bude separator izmedu "aktivnih" slojeva. Poslije depozicije uzorci su odgrijavani do Ta = 900oC. Karakterizacija uzoraka uključivala je analitičke metode: GISAXS (Grazing Incidence Small Angle X-ray Scattering), TEM (Transmission Electron Microscopy), Ramanska spektroskopiju te RBS (Rutherford backscattering). Pokazali smo da se sinteza Ge QDs dobre kristaliničnosti te željene veličine QDs (odredene debljinom "aktivnog" sloja) postiže odgrijavanjem u području Ta = 700- 800oC, uz još uvijek održanu periodičnost/dvoslojnost. Za više Ta dolazi do miješanja slojeva, rasta velikih nanočestica pa i gubitka Ge atoma iz sloja kako isparavanjem s površine tako i difuzijom u podlogu. Posebno zanimljivi novopronadeni efekti, kao samo-organizacija Ge QDs u 3D super-rešetku za usko područje Td i odredenu debljinu "separatora", te 3D samo-organizacija nakon dodatne implantacije uzoraka visokoenergetskim ionima bit će prikazani zasebno.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika



POVEZANOST RADA


Projekt / tema
098-0982886-2895 - Novi amorfni i nanostrukturirani tankoslojni materijali (Nikola Radić, )
098-1191005-2876 - Procesi interakcije ionskih snopova i nanostrukture (Milko Jakšić, )

Ustanove
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb