Analiza MOS tranzistora realiziranih u germaniju (CROSBI ID 355080)
Ocjenski rad | sveučilišni preddiplomski završni rad
Podaci o odgovornosti
Petričević, Marijan
Suligoj, Tomislav
Poljak, Mirko
hrvatski
Analiza MOS tranzistora realiziranih u germaniju
Objašnjena su svojstva germanija i silicija kao poluvodičkih materijala za realizaciju naprednih tranzistorskih struktura. Definiran je germanijski MOS tranzistor pomoću dvodimenzionalnog računalnog simulatora Taurus Medici. Analizirane su izlazne i prijenosne karakteristike nMOS i pMOS tranzistora i efekti kratkog kanala. Napravljena je usporedba sa karakteristikama silicijskih MOS tranzistora. Skaliranjem duljine upravljačke elektrode na 100, 45, 25 i 10nm analizirani su parametri tranzistora kao što su: napon praga UGS0, lin i UGS0, sat, ION, struja curenja IOFF, DIBL i S.
simulacije; germanij; MOSFET; skaliranje; efekti kratkog kanala
nije evidentirano
engleski
Anaysis of germanium MOS transistors
nije evidentirano
simulations; germanium; MOSFET; scaling; short-channel effects
nije evidentirano
Podaci o izdanju
35
10.07.2009.
obranjeno
Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb