Napredna pretraga

Pregled bibliografske jedinice broj: 423312

Analiza MOS tranzistora realiziranih u germaniju


Petričević, Marijan
Analiza MOS tranzistora realiziranih u germaniju 2009., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb


Naslov
Analiza MOS tranzistora realiziranih u germaniju
(Anaysis of germanium MOS transistors)

Autori
Petričević, Marijan

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad, preddiplomski

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
10.07

Godina
2009

Stranica
35

Mentor
Suligoj, Tomislav

Neposredni voditelj
Poljak, Mirko

Ključne riječi
Simulacije; germanij; MOSFET; skaliranje; efekti kratkog kanala
(Simulations; germanium; MOSFET; scaling; short-channel effects)

Sažetak
Objašnjena su svojstva germanija i silicija kao poluvodičkih materijala za realizaciju naprednih tranzistorskih struktura. Definiran je germanijski MOS tranzistor pomoću dvodimenzionalnog računalnog simulatora Taurus Medici. Analizirane su izlazne i prijenosne karakteristike nMOS i pMOS tranzistora i efekti kratkog kanala. Napravljena je usporedba sa karakteristikama silicijskih MOS tranzistora. Skaliranjem duljine upravljačke elektrode na 100, 45, 25 i 10nm analizirani su parametri tranzistora kao što su: napon praga UGS0, lin i UGS0, sat, ION, struja curenja IOFF, DIBL i S.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika



POVEZANOST RADA


Projekt / tema
036-0361566-1567 - Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (Tomislav Suligoj, )

Ustanove
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb