Nalazite se na CroRIS probnoj okolini. Ovdje evidentirani podaci neće biti pohranjeni u Informacijskom sustavu znanosti RH. Ako je ovo greška, CroRIS produkcijskoj okolini moguće je pristupi putem poveznice www.croris.hr
izvor podataka: crosbi !

Analiza MOS tranzistora realiziranih u germaniju (CROSBI ID 355080)

Ocjenski rad | sveučilišni preddiplomski završni rad

Petričević, Marijan Analiza MOS tranzistora realiziranih u germaniju / Suligoj, Tomislav (mentor); Poljak, Mirko (neposredni voditelj). Zagreb, Fakultet elektrotehnike i računarstva, . 2009

Podaci o odgovornosti

Petričević, Marijan

Suligoj, Tomislav

Poljak, Mirko

hrvatski

Analiza MOS tranzistora realiziranih u germaniju

Objašnjena su svojstva germanija i silicija kao poluvodičkih materijala za realizaciju naprednih tranzistorskih struktura. Definiran je germanijski MOS tranzistor pomoću dvodimenzionalnog računalnog simulatora Taurus Medici. Analizirane su izlazne i prijenosne karakteristike nMOS i pMOS tranzistora i efekti kratkog kanala. Napravljena je usporedba sa karakteristikama silicijskih MOS tranzistora. Skaliranjem duljine upravljačke elektrode na 100, 45, 25 i 10nm analizirani su parametri tranzistora kao što su: napon praga UGS0, lin i UGS0, sat, ION, struja curenja IOFF, DIBL i S.

simulacije; germanij; MOSFET; skaliranje; efekti kratkog kanala

nije evidentirano

engleski

Anaysis of germanium MOS transistors

nije evidentirano

simulations; germanium; MOSFET; scaling; short-channel effects

nije evidentirano

Podaci o izdanju

35

10.07.2009.

obranjeno

Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj

Fakultet elektrotehnike i računarstva

Zagreb

Povezanost rada

Elektrotehnika