Napredna pretraga

Pregled bibliografske jedinice broj: 423301

Utjecaj naprezanja na karakteristike skaliranih CMOS tranzistora


Žilak, Josip
Utjecaj naprezanja na karakteristike skaliranih CMOS tranzistora 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb


Naslov
Utjecaj naprezanja na karakteristike skaliranih CMOS tranzistora
(Influence of scaling on the characteristics of scaled CMOS transistors)

Autori
Žilak, Josip

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
16.07

Godina
2009

Stranica
87

Mentor
Suligoj, Tomislav

Neposredni voditelj
Poljak, Mirko

Ključne riječi
MOSFET; CMOS; naprezanje; električke karakteristike
(MOSFET; CMOS; stress; electrical characteristics)

Sažetak
Poluvodička industrija danas se susreće s ograničenjima daljnjeg skaliranja dimenzija tranzistora. Javlja se potreba za definiranjem novih tranzistorskih struktura i korištenjem novih materijala i metoda pri proizvodnji. Tehnologija napregnutog silicija predstavlja jednostavnu i jeftinu metodu kojom se mogu ostvariti poboljšanja osobina CMOS tranzistora koje zahtjeva skaliranje. Zbog toga se danas razvijaju različite metode uvođenja naprezanja u silicijsku strukturu. U ovom radu istraženi su neki izvori stresa, te je ispitan njihov utjecaj na električne karakteristike koje su uspoređene s karakteristikama standardnog tranzistora realiziranog u strukturi bez naprezanja. Istraženi su optimalni uvjeti naprezanja za n- kanalne i p- kanalne tranzistore u cilju maksimalnog povećanja struje.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika



POVEZANOST RADA


Projekt / tema
036-0361566-1567 - Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (Tomislav Suligoj, )

Ustanove
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

Autor s matičnim brojem:
Josip Žilak, (329055)