hrvatski

Utjecaj naprezanja na karakteristike skaliranih CMOS tranzistora

Poluvodička industrija danas se susreće s ograničenjima daljnjeg skaliranja dimenzija tranzistora. Javlja se potreba za definiranjem novih tranzistorskih struktura i korištenjem novih materijala i metoda pri proizvodnji. Tehnologija napregnutog silicija predstavlja jednostavnu i jeftinu metodu kojom se mogu ostvariti poboljšanja osobina CMOS tranzistora koje zahtjeva skaliranje. Zbog toga se danas razvijaju različite metode uvođenja naprezanja u silicijsku strukturu. U ovom radu istraženi su neki izvori stresa, te je ispitan njihov utjecaj na električne karakteristike koje su uspoređene s karakteristikama standardnog tranzistora realiziranog u strukturi bez naprezanja. Istraženi su optimalni uvjeti naprezanja za n- kanalne i p- kanalne tranzistore u cilju maksimalnog povećanja struje.

MOSFET; CMOS; naprezanje; električke karakteristike

nije evidentirano