hrvatski

Mjerenje rasta faceta (111) laserskom interferometrijom tijekom rasta monokristala Cu2- xSe gotovo ravnotežnog oblika

Pri proučavanju rasta monokristala superionskog vodiča Cu2-xSe na oko 800 K opaženo je ponašanje slično novim modusima rasta uočenim na kristalima 4He pri mK temperaturama. Cilj nam je istražiti brzinu rasta faceta ovisno o brzini dotoka materijala, za što treba što preciznije mjeriti vremenske ovisnosti odgovarajućih geometrijskih veličina (veličine kristala, veličine i visine faceta). Razrađena je laserska interferometrijska metoda mjerenja vertikalnog pomaka faceta određivanjem faze interferencijske slike na faceti. Razvijena je eksperimentalna postava i postupak brzog snimanja i pohranjivanja velikog broja interferencijskih slika (30 slika/s). Naknadna računalna obrada uključuje automatsko smanjivanje šuma na svakoj slici za dva reda veličine, mjerenje veličine facete s prugama interferencije, te automatski odabir i izrez dijela slike za određivanje faze (koja je ekvivalent promjeni visine plohe) FFT metodom. Pri tom primjenjujemo vlastiti poboljšani algoritam – originalni posebno konstruiran Gaussov prozor za filtriranje, postupak odmatanja (unwrapping) faze u više koraka, te modifikaciju algoritma koja značajno smanjuje inherentnu pogrešku pri određivanju faze. /1/ /1/ J. Gladić, Z. Vučić, D. Lovrić, Optics and Lasers in Engineering 45 (2007) 868-876.

rast kristala; bakar selenid; laserska interferometrija; facete

nije evidentirano