Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji Silicija ni na čemu (CROSBI ID 350621)
Ocjenski rad | doktorska disertacija
Podaci o odgovornosti
Sviličić, Boris
Biljanović, Petar
Amon, Slavko
hrvatski
Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji Silicija ni na čemu
Kapacitivno-naponske karakteristike VFD SONFET strukture su u svim područjima rada- akumulaciji, osiromašenju i inverziji. Kompaktni i 2D modeli kritičnih parametara VFD SONFET strukture u području ispod napona praga su razvijeni. Provjera ispravnosti analitičkih modela provedena je usporedbama s Medici simulacijama na velikom broju različitih tranzistorskih struktura. Optimizacija VFD SONFET strukture provedena je i na temelju detaljne analize utjecaja tehnoloških parametara. Za strukture dugog i kratkog kanala uspoređeni su kompaktni modeli s 2D modelima, te su analizirana ograničenja pojednih modela. Kompaktni model lateralne SONFET strukture uspoređen je s modelom VFD SONFET strukture te su istaknute prednosti vertikalne strukture.
silicij ni na čemu; potpuno osiromašeni MOSFET; vertikalni SONFET; kompaktni model; 2D model; napon praga; nagib u području ispod napona praga; sniženje barijere izazvano odvodom
nije evidentirano
engleski
Modeling and Optimization of the Vertical Fully-Depleted Silicon-on-Nothing MOSFET
nije evidentirano
Silicon-on-Nothing; fully-depleted MOSFET; vertical SONFET; compact model; 2D model; treshold voltage; subtreshold slope; DIBL
nije evidentirano
Podaci o izdanju
147
14.05.2008.
obranjeno
Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
