Pretražite po imenu i prezimenu autora, mentora, urednika, prevoditelja

Napredna pretraga

Pregled bibliografske jedinice broj: 358917

Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji Silicija ni na čemu


Sviličić, Boris
Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji Silicija ni na čemu, 2008., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb


CROSBI ID: 358917 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca

Naslov
Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji Silicija ni na čemu
(Modeling and Optimization of the Vertical Fully-Depleted Silicon-on-Nothing MOSFET)

Autori
Sviličić, Boris

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, doktorska disertacija

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
14.05

Godina
2008

Stranica
147

Mentor
Biljanović, Petar

Neposredni voditelj
Amon, Slavko

Ključne riječi
silicij ni na čemu; potpuno osiromašeni MOSFET; vertikalni SONFET; kompaktni model; 2D model; napon praga; nagib u području ispod napona praga; sniženje barijere izazvano odvodom
(Silicon-on-Nothing; fully-depleted MOSFET; vertical SONFET; compact model; 2D model; treshold voltage; subtreshold slope; DIBL)

Sažetak
Kapacitivno-naponske karakteristike VFD SONFET strukture su u svim područjima rada- akumulaciji, osiromašenju i inverziji. Kompaktni i 2D modeli kritičnih parametara VFD SONFET strukture u području ispod napona praga su razvijeni. Provjera ispravnosti analitičkih modela provedena je usporedbama s Medici simulacijama na velikom broju različitih tranzistorskih struktura. Optimizacija VFD SONFET strukture provedena je i na temelju detaljne analize utjecaja tehnoloških parametara. Za strukture dugog i kratkog kanala uspoređeni su kompaktni modeli s 2D modelima, te su analizirana ograničenja pojednih modela. Kompaktni model lateralne SONFET strukture uspoređen je s modelom VFD SONFET strukture te su istaknute prednosti vertikalne strukture.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika



POVEZANOST RADA


Projekt / tema
036-0361566-1567 - Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (Tomislav Suligoj, )
036-0982904-1642 - Sofisticirane poluvodičke strukture za komunikacijsku tehnologiju (Marko Koričić, )

Ustanove
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

Profili:

Avatar Url Boris Sviličić (autor)

Avatar Url Petar Biljanović (mentor)

Citiraj ovu publikaciju

Sviličić, Boris
Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji Silicija ni na čemu, 2008., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
Sviličić, B. (2008) 'Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji Silicija ni na čemu', doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb.
@phdthesis{phdthesis, author = {Svili\v{c}i\'{c}, B.}, year = {2008}, pages = {147}, keywords = {Silicon-on-Nothing, fully-depleted MOSFET, vertical SONFET, compact model, 2D model, treshold voltage, subtreshold slope, DIBL}, title = {Modeling and Optimization of the Vertical Fully-Depleted Silicon-on-Nothing MOSFET}, keyword = {Silicon-on-Nothing, fully-depleted MOSFET, vertical SONFET, compact model, 2D model, treshold voltage, subtreshold slope, DIBL}, publisherplace = {Zagreb} }




Contrast
Increase Font
Decrease Font
Dyslexic Font