hrvatski

Utjecaj kvantnih efekata na karakteristike ekstremno skaliranih MOS tranzistora

MOS tranzistori efektivne duljine kanala od samo 20 nanometara pojavit će se već 2009. godine, prema predviđanjima ITRS-a (International Technology Roadmap for Semiconductors). U ovakvim ekstremno skaliranim strukturama značajan će utjecaj imati kvantni efekti. Analitičkim metodama je pokazano da kvantno ograničenje u smjeru okomitom na granicu silicij – silicij-dioksid u konvencionalnim MOS tranzistorima uzrokuje diskretizaciju energije elektrona i njihov odmak od oksida. Ovo uzrokuje značajno povećanje napona praga i smanjenje struje odvoda. U ekstremno skaliranim MOS tranzistorima s dvostrukom upravljačkom elektrodom kvantni model treba se primijeniti i u lateralnom smjeru. Lateralni kvantni efekti dodatno povećavaju napon praga i smanjuju struju odvoda, ali u puno manjoj mjeri nego transverzalni. Unatoč ekstremnom skaliranju i utjecaju kvantnih efekata, strujno-naponske karakteristike tranzistora su oblikom klasične što otvara mogućnost modifikacije postojećih klasičnih modela tranzistora.

kvantni efekti; 2D simulacije; DG MOSFET; FinFET

nije evidentirano