Structural properties of Ge nanocrystals embeded in SiO2 (CROSBI ID 529245)
Prilog sa skupa u zborniku | izvorni znanstveni rad | međunarodna recenzija
Podaci o odgovornosti
Capan, Ivana ; Pivac, Branko ; Duguay, S. ; Slaoui, A. ; Dubček, Pavo ; Bernstorff, S.
engleski
Structural properties of Ge nanocrystals embeded in SiO2
Thin silicon dioxide (SiO2) films with embeded germanium nanocrystals (Ge-ncs) were fabricated on Si layers using 74Ge+ implantation and subsequent annealing. Transmission electron microscopy (TEM) and Grazing incidence small angle X-ray scattering (GISAXS) measurements were used to study the Ge redistribution in the SiO2 films.
germanium; nanostructures; TEM; GISAXS
nije evidentirano
nije evidentirano
nije evidentirano
nije evidentirano
nije evidentirano
nije evidentirano
Podaci o prilogu
50-52-x.
2007.
objavljeno
Podaci o matičnoj publikaciji
Proceedings MIPRO 2007
Biljanović, Petar ; Skala, Karolj
Opatija: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO
978-953-233-032-8
Podaci o skupu
MIPRO - 2007
predavanje
21.05.2007-25.05.2007
Opatija, Hrvatska
