Nalazite se na CroRIS probnoj okolini. Ovdje evidentirani podaci neće biti pohranjeni u Informacijskom sustavu znanosti RH. Ako je ovo greška, CroRIS produkcijskoj okolini moguće je pristupi putem poveznice www.croris.hr
izvor podataka: crosbi !

Electrically active defects in silicon and germanium induced by radiation (CROSBI ID 346381)

Ocjenski rad | doktorska disertacija

Capan, Ivana Electrically active defects in silicon and germanium induced by radiation / Pivac, Branko (mentor); Zagreb, Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb, . 2006

Podaci o odgovornosti

Capan, Ivana

Pivac, Branko

engleski

Electrically active defects in silicon and germanium induced by radiation

aa

silicon; germanium; defects; deep level transient spectroscopy

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

Podaci o izdanju

153

16.11.2006.

obranjeno

Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj

Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb

Zagreb

Povezanost rada

Fizika