Analiza slojeva silicij karbida infracrvenom spektroskopijom i RBS metodom (CROSBI ID 470032)
Prilog sa skupa u zborniku | sažetak izlaganja sa skupa
Podaci o odgovornosti
Gracin, Davor ; Jakšić, Milko ; Borjanović, Vesna
hrvatski
Analiza slojeva silicij karbida infracrvenom spektroskopijom i RBS metodom
Tanki filmovi silicij karbida, debljina oko 1e-6 m, formirani su magnetronskim izvorom, na staklenoj podlozi i na monokristalu silicija. Spektralna raspodjela koeficijenta apsorpcije u infracrvenom dijelu spektra je određena iz mjerenja transmitivnosti i reflektivnosti, uobičajenim postupcima. Zbog nedostatne osjetljivosti klasične RBS metode, umjesto alfa čestica energija manjih od 2 MeV, korišten je snop protona energije 3 MeV. Pri tom je kvantitativna analiza provedena pomoću simulacije eksperimentalnih spektara programom SIMNRA uz korištenje baze podataka za nuklearno elastično raspršenje.
silicij ; RBS
nije evidentirano
engleski
Thin films analysis of SiC by infrared spectroscopy and RBS method
nije evidentirano
silicon ; RBS
nije evidentirano
Podaci o prilogu
16-16.
1998.
objavljeno
Podaci o matičnoj publikaciji
Zbornik sažetaka konferencije
Radić, Nikola
Zagreb: Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD)
Podaci o skupu
5th Croatian and Slovenian vacuum conference
predavanje
20.05.1998-20.05.1998
Zagreb, Hrvatska
