hrvatski

ELEKTRIČNA SVOJSTVA AlXTM100-X (TM=Mo, W, Nb i Ta) TANKIH FILMOVA

Tanki filmovi AlXTM100-X (TM = Mo, W, Nb i Ta) slitina pripravljeni su kodepozicijom čistog aluminija i čistih prijelaznih metala iz dva nezavisno kontrolirana magnetronska izvora. Filmovi su deponirani na različite podloge (staklo, korund, safir) a debljina ispitanih filmova iznosi oko 400 nm, izuzev AlW filmova čija debljina iznosi oko 2 &#61549; m. Struktura pripravljenih slitina ispitana je difrakcijom X-zraka. Intervali sastava za koje su dobiveni filmovi amorfni iznose 63&#8804; x&#8804; 88 za AlXW100-X slitine, 45&#8804; x&#8804; 85 za AlXMo100-X, te 30&#8804; x&#8804; 90 za AlXNb100-X i AlXTa100-X slitine. Temperaturna stabilnost amorfnih filmova ispitana je mjerenjem električne otpornosti, &#61554; &#61484; pri izokronom grijanju (dT/dt=2 K/min) na osnovu čega su određene dinamičke temperature kristalizacije, TC. Najstabilnije su amorfne AlW slitine sa temperaturama kristalizacije iznad 500OC, zatim slijede AlMo slitine sa 450OC&#8804; TC&#8804; 520OC te AlNb i AlTa slitine sa 300OC&#8804; TC&#8804; 400OC. Iz ovoga vidimo da temperature kristalizacija nije moguće direktno korelirati sa širinom intervala sastava u kojem je moguće dobiti amorfne slitine. Električna otpornost amorfnih AlMo i AlW filmova pokazuje izraziti maksimum (1200 odnosno 500 &#61549; &#61527; cm) na koncentracijama koje odgovaraju intermetalnim Al3Mo i Al4W spojevima. Nadalje, bez obzira na odsustvo izrazitog maksimuma u otpornosti AlNb i AlTa (&#61554; <400&#61549; &#61527; cm) slitina, temperaturni koeficijent otpornosti, &#61537; , u sva četiri sistema ima minimum za koncentracije koje odgovaraju redom Al3Mo, Al4W, Al3Nb i Al3Ta intermetalnim spojevima. Nakon kristalizacije ovisnost &#61554; i &#61537; o sastavu slitina ostaje kvalitativno ista za svaki pojedini sistem a omjer otpornosti poslije i prije kristalizacije pokazuje za sve slitine istu ovisnost o koncentraciji aliminija.

Tanki filmovi; aluminijeve slitine; električne osobine

nije evidentirano