Pretražite po imenu i prezimenu autora, mentora, urednika, prevoditelja

Napredna pretraga

Pregled bibliografske jedinice broj: 269539

Trodimezionalno strukturiranje defekata u silicijskim fotodiodama


Jakšić, Milko; Medunić, Zvonko; Pastuović, Željko; Skukan, Natko; Bogovac, Mladen
Trodimezionalno strukturiranje defekata u silicijskim fotodiodama // Zbornik sažetaka 13. međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika / Nikola, Radić (ur.). (ur.).
Zagreb, 2006. (predavanje, nije recenziran, sažetak, znanstveni)


CROSBI ID: 269539 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca

Naslov
Trodimezionalno strukturiranje defekata u silicijskim fotodiodama
(Threedimensional structuring of deffects in silicon photodiodes)

Autori
Jakšić, Milko ; Medunić, Zvonko ; Pastuović, Željko ; Skukan, Natko ; Bogovac, Mladen

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni

Izvornik
Zbornik sažetaka 13. međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika / Nikola, Radić (ur.). - Zagreb, 2006

Skup
Vakuumska znanost i tehnika. 13. međunarodni sastanak

Mjesto i datum
Koprivnica, 13.6.2006

Vrsta sudjelovanja
Predavanje

Vrsta recenzije
Nije recenziran

Ključne riječi
defekti; teški ioni; fotodioda
(defects; heavy ions; photodiode)

Sažetak
Detekcija ionizirajućeg zračenja pomoću silicijskih pn ili pin fotodioda se zbog njihove niske cijene sve više koristi. Da bi proširili mogućnosti primjena fotodioda, razvili smo metodu selektivnog unošenja defekata u silicij, pri čemu se lokalno mijenjaju transportna svojstva naboja. Defekti se proizvode pomoću fokusiranog snopa težih iona (npr. He, Li, O, Si), čiji se položaj i frekvencija kontrolira u sustavu nuklearne mikroprobe. Teški ioni su posebno pogodni zbog njihove velike nuklearne komponente zaustavne moći, te stoga i velike koncentracije defekata koji oni mogu proizvesti. Uz to, kod teških iona najveći udio u proizvedenim defektima čine relativno stabilni 'cluster' defekti. Najveća koncentracija defekata nalazi se stoga na kraju dosega iona. Kod snopa energije 4 MeV, za ione 7Li doseg je 9  m a za ione 16O on iznosi 4 um. Prikazat ćemo postupak unošenja defekata, mogućnosti primjene ove tehnologije, kao i primjere koji pokazuju da se proizvedene strukture mogu koristiti kao poziciono osjetljivi detektori nabijenih čestica i x-zraka.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika



POVEZANOST RADA


Projekti:
0098013

Ustanove:
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb


Citiraj ovu publikaciju:

Jakšić, Milko; Medunić, Zvonko; Pastuović, Željko; Skukan, Natko; Bogovac, Mladen
Trodimezionalno strukturiranje defekata u silicijskim fotodiodama // Zbornik sažetaka 13. međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika / Nikola, Radić (ur.). (ur.).
Zagreb, 2006. (predavanje, nije recenziran, sažetak, znanstveni)
Jakšić, M., Medunić, Z., Pastuović, Ž., Skukan, N. & Bogovac, M. (2006) Trodimezionalno strukturiranje defekata u silicijskim fotodiodama. U: Nikola, R. (ur.)Zbornik sažetaka 13. međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika.
@article{article, editor = {Nikola, R.}, year = {2006}, pages = {18}, keywords = {defekti, te\v{s}ki ioni, fotodioda}, title = {Trodimezionalno strukturiranje defekata u silicijskim fotodiodama}, keyword = {defekti, te\v{s}ki ioni, fotodioda}, publisherplace = {Koprivnica} }
@article{article, editor = {Nikola, R.}, year = {2006}, pages = {18}, keywords = {defects, heavy ions, photodiode}, title = {Threedimensional structuring of deffects in silicon photodiodes}, keyword = {defects, heavy ions, photodiode}, publisherplace = {Koprivnica} }




Contrast
Increase Font
Decrease Font
Dyslexic Font