hrvatski

Trodimezionalno strukturiranje defekata u silicijskim fotodiodama

Detekcija ionizirajućeg zračenja pomoću silicijskih pn ili pin fotodioda se zbog njihove niske cijene sve više koristi. Da bi proširili mogućnosti primjena fotodioda, razvili smo metodu selektivnog unošenja defekata u silicij, pri čemu se lokalno mijenjaju transportna svojstva naboja. Defekti se proizvode pomoću fokusiranog snopa težih iona (npr. He, Li, O, Si), čiji se položaj i frekvencija kontrolira u sustavu nuklearne mikroprobe. Teški ioni su posebno pogodni zbog njihove velike nuklearne komponente zaustavne moći, te stoga i velike koncentracije defekata koji oni mogu proizvesti. Uz to, kod teških iona najveći udio u proizvedenim defektima čine relativno stabilni 'cluster' defekti. Najveća koncentracija defekata nalazi se stoga na kraju dosega iona. Kod snopa energije 4 MeV, za ione 7Li doseg je 9  m a za ione 16O on iznosi 4 um. Prikazat ćemo postupak unošenja defekata, mogućnosti primjene ove tehnologije, kao i primjere koji pokazuju da se proizvedene strukture mogu koristiti kao poziciono osjetljivi detektori nabijenih čestica i x-zraka.

defekti; teški ioni; fotodioda

nije evidentirano