Karakterizacija polisilicijskih slojeva dobivenih LPCVD postupkom (CROSBI ID 345040)
Ocjenski rad | diplomski rad
Podaci o odgovornosti
Žonja, Sanja
Biljanović, Petar ; Ivanda, Mile
hrvatski
Karakterizacija polisilicijskih slojeva dobivenih LPCVD postupkom
U ovom radu prikazani su načini dobivanja tankih slojeva polisilicija i silicijevog dioksida te metode određivanja njihovih svojstava u svrhu dobivanja polisilicijskog termičkog elementa. Dobiveni slojevi silicijevog dioksida su homogeni s minimalnim brojem defekata. Eksperimentalno je određena temperatura za optimalan rast polisilicijskih slojeva te je na toj temperaturi vršeno dopiranje s borom da bi se dobio određeni slojni otpor uzoraka.
polisilicij; silicijev dioksid; polisilicijski termički element; LPCVD (kemijska depozicija iz parne faze pri sniženom tlaku); termička oksidacija; ramanova spektroskopija; infracrvena spektroskopija; veličina zrna; debljina uzorka; boja uzorka
nije evidentirano
engleski
Characterization of polysilicon layers obtained by LPCVD
nije evidentirano
polysilicon; silicon dioxide; polysilicon thermal element; LPCVD (Low Pressure Chemical Vapour Deposition); thermal oxidation; Raman spectroscopy; Infrared spectroscopy; grain size; sample thickness; sample colour
nije evidentirano
Podaci o izdanju
99
21.09.2006.
obranjeno
Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb