Napredna pretraga

Pregled bibliografske jedinice broj: 265417

Karakterizacija polisilicijskih slojeva dobivenih LPCVD postupkom


Žonja, Sanja
Karakterizacija polisilicijskih slojeva dobivenih LPCVD postupkom 2006., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb


Naslov
Karakterizacija polisilicijskih slojeva dobivenih LPCVD postupkom
(Characterization of polysilicon layers obtained by LPCVD)

Autori
Žonja, Sanja

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
21.09

Godina
2006

Stranica
99

Mentor
Biljanović, Petar ; Ivanda, Mile

Ključne riječi
Polisilicij; silicijev dioksid; polisilicijski termički element; LPCVD (kemijska depozicija iz parne faze pri sniženom tlaku); termička oksidacija; ramanova spektroskopija; infracrvena spektroskopija; veličina zrna; debljina uzorka; boja uzorka
(Polysilicon; silicon dioxide; polysilicon thermal element; LPCVD (Low Pressure Chemical Vapour Deposition); thermal oxidation; Raman spectroscopy; Infrared spectroscopy; grain size; sample thickness; sample colour)

Sažetak
U ovom radu prikazani su načini dobivanja tankih slojeva polisilicija i silicijevog dioksida te metode određivanja njihovih svojstava u svrhu dobivanja polisilicijskog termičkog elementa. Dobiveni slojevi silicijevog dioksida su homogeni s minimalnim brojem defekata. Eksperimentalno je određena temperatura za optimalan rast polisilicijskih slojeva te je na toj temperaturi vršeno dopiranje s borom da bi se dobio određeni slojni otpor uzoraka.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika, Elektrotehnika



POVEZANOST RADA


Projekt / tema
0036001
0098022

Ustanove
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb,
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb

Autor s matičnim brojem:
Sanja Žonja, (296040)