hrvatski

Testiranje fotonaponskih modula u realnim uvjetima

Karakteristike fotonaponskog (FN) modula u realnim uvjetima rada osim o tehnologiji proizvodnje uvelike ovisi o različitim klimatskim faktorima na mjestu primjene. Stoga podaci koje o modulima daju proizvođači, a koji su dobiveni testiranjima u standardnim uvjetima (ozračenje 1000 W/m2, temperatura modula 25°C, masa zraka AM 1, 5 i okomit upad Sunčeva zračenja na modul) ne omogućuju precizno predviđanje radnih svojstava i učinkovito projektiranje FN sustava. U ovom su radu predočeni i analizirani rezultati testiranja FN modula od amorfnog silicija u realnim uvjetima. Testiranje je vršeno tijekom kolovoza i rujna 2005. godine na Fakultetu elektrotehnike, strojarstva i brodogradnje u Splitu i sastojalo se od istovremenog mjerenja Sunčeva zračenja, temperature modula i snimanja I-U karakteristika. Prikazani su petomjesečni rezultati mjerenja Sunčeva zračenja (od svibnja do rujna), kao i ukupno zračenje na horizontalnu površinu određeno pomoću multipiranometarskog niza za tri mjeseca (od svibnja do srpnja). Uočeno je da se primjenom jednostavnog izotropnog modela neba ukupno zračenje na horizontalnu plohu može izračunati sa srednjim kvadratnim odstupanjem iznosa oko 30 W/m2. Na temelju izmjerenih podataka određene su funkcije ovisnosti struje kratkog spoja i napona otvorenog kruga o ozračenju i temperaturi koristeći jednostavne linearne modele. Utvrđeno je da ozračenje puno jače utječe i na struju kratkog spoja i na napon otvorenog kruga od temperature. Zabilježeno je značajno smanjenje I-U krivulje tijekom poslijepodnevnih sati što je posljedica intenzivnijeg zračenja u crvenom dijelu spektra u tim dijelovima dana. Konačno, I-U krivulje su simulirane primjenom empirijskog i Swartzova modela i uspoređene s izmjerenima. Iako je Swartzov model pokazao bolje slaganje, njegovi se parametri moraju odrediti posebnim mjerenjima u kontroliranim uvjetima što ga čini nepraktičnim za testiranja u realnim uvjetima rada.

testiranje u realnim uvjetima; fotonaponski modul; amorfni silicij; I-U krivulja; Sunčevo zračenje; multipiranometarski niz; model sunčane ćelije

nije evidentirano