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Observation d une polarisation en spin dans un systeme dilue: l oxyde magnétique La_0.5Sr_0.5TiO_3 dopé au Co

Nous avons étudié des couches minces de l oxyde métallique La_0.5Sr_0.5TiO_3 (LSTO) dopé avec des ions de Co (avec des concentrations entre 0 et 3%). La croissance des couches a été réalisée par ablation laser. Les couches sont métalliques avec des valeurs de résistivité qui dépendent fortement des conditions de dépôt, notamment de la pression d oxygè ne. Pour la détermination de la polarisation en spin d un tel systeme dilué, des jonctions de taille micronique ou nanométrique LSTO(Co 1, 5%) / STO / Co et LSTO(Co 1, 5%) / LAO / Co ont été réalisées par lithographie optique ou par nanoindentation a l aide d un AFM a pointe conductrice. La magnétorésistance tunnel inverse (TMR) indique la polarisation positive de LSTO(Co) aux deux interfaces. Nous avons pu extrapoler la valeur de polarisation en spin a 70 % pour le LSTO et 12.5% pour le Co a l interface avec LAO (STO).

semiconducteurs magnétiques dilués; magnétorésistance tunnel

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